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阿斯麦|ASML介绍新一代高NA EUV光刻机：芯片缩小1.7倍、密度增加2.9倍

按照业内预判 ， 2025年前后半导体在微缩层面将进入埃米尺度（Å ， angstrom ， 1埃 = 0.1纳米） ， 其中2025对应A14（14Å=1.4纳米） 。
除了新晶体管结构、2D材料 ， 还有很关键的一环就是High NA（高数值孔径）EUV光刻机 。根据ASML（阿斯麦）透露的最新信息 ， 第一台原型试做机2023年开放 ， 预计由imec（比利时微电子研究中心）装机 ， 2025年后量产 ， 第一台预计交付Intel 。
Gartner分析师Alan Priestley称 ， 0.55NA下一代EUV光刻机单价将翻番到3亿美元 。
那么这么贵的机器 ， 到底能实现什么呢？
【阿斯麦|ASML介绍新一代高NA EUV光刻机：芯片缩小1.7倍、密度增加2.9倍】ASML发言人向媒体介绍 ， 更高的光刻分辨率将允许芯片缩小1.7倍、同时密度增加2.9倍 。未来比3nm更先进的工艺 ， 将极度依赖高NA EUV光刻机 。
当然 ， ASML并不能独立做出高NA EUV光刻机 ， 还需要德国蔡司以及日本光刻胶涂布等重要厂商的支持 。
ASML现售的0.33NA EUV光刻机拥有超10万零件 ， 需要40个海运集装箱或者4架喷气货机才能一次性运输完成 ， 单价1.4亿美元左右 。
去年ASML仅仅卖了31台EUV光刻机 ， 今年数量提升到超100台 。

阿斯麦|ASML介绍新一代高NA EUV光刻机：芯片缩小1.7倍、密度增加2.9倍
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