芯片核心国产光刻机验收，特朗普哭晕厕所
据新华社2018年11月29日消息 ， 国家重大科研装备研制项目“超分辨光刻装备研制”29日通过验收 。 该光刻机由中国科学院光电技术研究所研制 ， 光刻分辨力达到22纳米 ， 结合双重曝光技术后 ， 未来还可用于制造10纳米级别的芯片 。中科院理化技术研究所许祖彦院士等验收组专家一致表示 ， 该光刻机在365纳米光源波长下 ， 单次曝光最高线宽分辨力达到22纳米 。 项目在原理上突破分辨力衍射极限 ， 建立了一条高分辨、大面积的纳米光刻装备研发新路线 ， 绕过国外相关知识产权壁垒 。 
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