芯片|弯道超车？中国芯养成3nm！台积电一句话令众人愣住
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自从华为芯片\"出事\"之后 ， 国内关于芯片的新闻、消息可谓是层出不穷 ， 各类所谓的好消息一时也是令众多读者眼花缭乱 ， 类似于\"弯道超车\"的喜人标题也是五花八门 。 目前 ， 国内半导体行业也是一片火热 ， 各类行业都纷纷的投身进半导体这个大家庭中来 ， 有干过半导体的 ， 也有没干过半导体的 ， 各位都想在接下来的\"中国半导体元年年\"中分得一杯羹 。
近期 ， 中科院的一款3nm晶体管和北大碳基芯片也是备受网友们的关注 ， 很多人也是纷纷表示：\"3nm都出来了 ， 离世界顶峰还会远吗？\"在这之前 ， 我们先讲一下这次的3nm晶体管和碳基芯片是何物 。 众所周知 ， 传统的芯片是由硅片制造的 ， 而除此之外的芯片就是新材料芯片 ， 相较于传统芯片 ， 这类芯片通常有着更好的性能 。 这次的晶体管芯片和碳基芯片就是新材料芯片 ， 也就意味着理论上比同等级的其他芯片性能要优 。
然后再回到网友们说到的：\"离世界顶峰还会远吗？\"很遗憾 ， 答案是还有很长一段距离要走 。 其实单从制程和材料上来看 ， 中科院的3nm晶体管和北大碳基芯片理论上是会比同等级芯片要好 ， 也就是能够跻身世界级高端芯片 。 但是我们同时要注意的是 ， 这只是从材料上来讲 ， 但是材料从来不是决定一枚芯片性能优劣的选项 ， 芯片本身的功耗和带宽才是 ， 就这两点而言 ， 这两款芯片落后世界的是以十年为单位计算的 。
【芯片|弯道超车？中国芯养成3nm！台积电一句话令众人愣住】
近几年来 ， 作为计算机核心的CPU单核性能不能再像过去一样大幅提高 ， 因为硅半导体材料的力学、化学和电学性能不行 。 但事实是 ， 制约CPU主频提高的因素是芯片功耗障碍和带宽障碍 ， 而这不是靠简单的更换材料就可以得来的 。 在130nm工艺后 ， 芯片电路延迟随晶体管缩小的趋势逐渐弱化 ， 目前制约主频的主要因素还是在于已经成为连线时延而非晶体管的翻转速度 。
连目前芯片制造和芯片研发世界领先的台积电也说：\"目前新材料芯片还不是芯片性能提升必须要考虑的事项 ， 公司暂时不会将研发主力投入到新型材料芯片的攻克之中 。 \"可见对于新型材料芯片的研发目前还是只能停留在实验室之中 ， 这令本应沸腾的国内半导体行业来说无疑时一盆冷水当头浇下来 ， 瞬间无人敢言 。
但是我们同时要有信心的是 ， 中科院能够拿出3nm晶体管和北大能拿出碳基芯片 ， 说明目前我国比较顶尖的科研机构都在为解决\"中国芯\"问题而努力着 。 之前北大彭练矛院士团队研发的5nm栅长碳纳米管CMOS器件也是能够3倍于英特尔最先进的14nm商用硅材料晶体管 ， 能耗却只有硅材料晶体管的1/4 。
虽然目前以\"弯道超车\"来形容我国的芯片研发进程还是太过夸张 ， 但我相信在这么一个说搞大飞机就有大飞机 ， 要弄国产航母就有国产航母的国家 ， 在\"中国芯\"问题上 ， 既然也已经发言要解决\"卡脖子\"的问题 ， 那么就一定也会搞成 ， 即使这要花上十几年甚至二十几年的时间 。
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