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华为p40|振奋！芯片龙头宣布，不用EUV光刻机制造较高性能芯片年底试产！


华为p40|振奋！芯片龙头宣布，不用EUV光刻机制造较高性能芯片年底试产！
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振奋！芯片龙头宣布 ， 不用EUV制造较高性能芯片年底试产！
自因美国禁令华为的芯片被断供以后 ， 很多国人都感到憋屈 ， 台积电不能代工 ， 我国就没有办法生产较先进的芯片了？
被寄予厚望的我国芯片龙头企业中芯国际 ， 受光刻机的限制 ， 目前只能生产14nm的芯片与台积电的7nm、5nm相比差距很大 。
虽然中科院宣布将研制光刻机对我们来说是令人兴奋的事 ， 但我们也应实事求是 ， 短时间内想研发出高性能的光刻机还不太现实 ， 或许在明年能下线28nm光刻机 ， 只能说有进步 ， 但与先进的EUV光刻机仍然相差甚远 ， 想要研制出先进的光刻机恐怕需要5年甚至10年时间里 ， 因为在光源、镜头以及整合等技术方面我们的差距还是比较大的 。
近日传来了令人振奋的消息 ， 我国芯片制造业龙头中芯国际 ， 在客户询问N+1、N+2等先进工艺进展时 ， 该公司回答表示 ， 第二代FinFETN+1工艺已进入客户导入阶段 ， 预计将在2020年底实现小批量试产 ， 2021年有望量产 。
N+1、N+2是中芯国际自己内部的代号对标的是台积电、三星的7nm工艺 ， 因为我们没有EUV光刻机 ， 所以这是用DUV光刻机来生产 。
今年上半年 ， 梁孟松博士首次公开了了N+1、N+2工艺情况 ， 他表示N+1工艺生产的芯片与14nm芯片相比 ， 性能提高了20% ， 功耗减少了57% ， 逻辑面积减少了63%SoC面积减少了55% ， 之后N+2工艺的性能和成本有所提高 。
从参数上看 ， 应该是介于7nm与10nm之间 ， 功耗和面积与7nm相仿 ， 面积减少55%意味着晶体管数量提高 ， 只是性能上稍差一点 ， 可以说是低配版的7nm制程芯片 ， 而N+2工艺性能上还会提高 ， 应该与7nm性能差不多了 。
应该说 ， 在我们芯片制造至暗时刻 ， 听到这样的相信还是令人振奋的 ， 虽然与台积电相比还是有差距 ， 但台积电、三星是芯片制造巨无霸企业 ， 每年的研发资金就赶上中芯国际的营业收入了 ， 其次他们都有最先进的光刻机 ， 而同样有先进光刻机的英特尔7nm制程的芯片生产还搞不定 ， 准备让台积电代工 。
如果中芯国际能量产N+1、N+2工艺 ， 应该说是了不起的成绩了 ， 这应该与梁孟松博士有很大的关系 ， 当然试产与较好良率的量产还需要中芯国际的努力 。
梁孟松博士在2017年10月加盟中芯国际 ， 与赵海军一起担任联合CEO ， 来到中芯国际后2018年提出订购ASML的EUV光刻机 ， 然而遗憾的是 ， 还是迟了 ， 原本是2019年交货 ， 在美国阻扰下 ， 一直未能到货 。
梁孟松在芯片制造领域里名气是很大的 ， 在台积电因为未能晋升研发副总 ， 在他韩国夫人鼓励下 ， 辞职来到韩国三星 ， 当然以先到韩国教书为名 ， 实际上教书的大学与三星有很大的关系 ， 之后帮助三星在14nm上大跃进 ， 一举超过台积电 。
台积电大佬张忠谋一看还得了 ， 叛将帮助敌人打败自己了 ， 于是把梁孟松告上法庭 ， 告他违反了竞业规定 。 所以梁孟松对台积电也是憋了一口气的 ， 来到中芯国际半年时间就把中芯国际14nm的良率提高了上去 ， 当然梁孟松来到中芯国际也是有条件的 ， 就是必须要挖到他指定的工程师 ， 据说名单上有数十个人 。


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