江苏龙网

  1. 首页 > 人文 > >

行家说|第三代半导体纳入“十四五规划”！这类型的企业布局更有优势

日前 ， 最新消息显示 ， 国家2030计划和“十四五”国家研发计划明确将第三代半导体列为重要发展方向 ， 目前已经到了动议讨论实施方案的阶段 。 超强风口来临 ， 相关板块个股逆势飞涨 。
那么 ， 何为第三代半导体？在半导体产业的发展中,一般将Si、Ge称为第一代半导体；而将GaAs、InP、GaP、InAs、AlAs及其合金等称为第二代半导体；SiC、GaN、ZnSe和金刚石等宽禁带半导体称为第三代半导体 。
同第一、二代半导体相比,第三代半导体有以下突出的优点：
√宽禁带宽度、高击穿场强、高饱和漂移速度、高热导率、小介电常数和高的电子迁移率 ， 以及更强的抗辐射能力强；
√制作高频、大功率、耐高温和抗辐射器件的理想材料；
√耐高温使得宽禁带半导体可以适用于工作温度在650℃以上的军用武器系统和航空航天设备中；
√大功率在降低自身功耗的同时提高系统其它部件的能效 ， 可节能20%-90%；
√高频特性可以极大提高雷达效率 ， 在维持覆盖的前提下减少通信基站的数量 ， 更可以实现更高速IC芯片的制造；
√宽禁带使得高亮度白光LED照明成为可能 ， 同时可降低电力损耗47%；
√抗辐射可以减少设备受到的干扰 ， 延长航空航天设备的使用寿命的同时极大的降低重量 。
行家说产业研究中心认为：以SiC和GaN为核心第三代半导体近几年来受到半导体行业极大关注 。 随着5G、汽车等新市场出现 ， SiC和GaN不可替代的优势使得相关产品的研发与应用加速 。 此外 ， 两者的不同优势决定了应用范围上的差异 。 SiC拥有更高的热导率和更成熟的技术 ， 可用于功率器件；而GaN具有更高的电子迁移率 ， 相比SiC或Si具有更高的开关速度 ， 在高频率应用领域 ， GaN具备优势 。
行家说|第三代半导体纳入“十四五规划”！这类型的企业布局更有优势
文章图片
来源：行家说产业研究中心
化合物半导体工艺属于精细生产过程 ， 需要严格的工序流程管理及生产控制 ， 这要求企业需要有足够的生产经验的技术储备 。 此外 ， 化合物半导体前期投入巨大 ， 固定成本极高 ， 参与其中的企业既要有规模化生产管理的经验 ， 又要有雄厚的资金实力 ， 才能在形成规模化之前承担起巨大投入带来的成本压力 。
基于上述条件 ， 原先在LED领域的头部企业即拥有优秀的制造基因 ， 又有充裕的资金储备 ， 因此具有布局第三代半导体的良好基础 。
事实上 ， 我国对于第三代半导体材料的投资热情高涨 ， 仅从LED领域相关的企业来看 ， 目前就有科锐、三安、华灿、士兰、利亚德等LED领军企业 ， 在第三代半导体方面已抢先布局 。 那么 ， 这些企业已有哪些重要举措和新进度呢？
科锐
谈到第三代半导体 ， 首先绕不开科锐 ， 在SiC市场具有超高市占率 。
科锐在1991年就推出了全球首款商用SiC晶圆 ， 1998年创建业界首款采用SiC的GaNHEMT ， 进入21世纪后 ， 公司在SiC射频器件与电力电子器件领域继续拓展 ， 于2002年推出首款600V商用SiCJBS肖特基二极管 ， 2011年推出业界首款SiCMOSFET 。
目前科锐具备SiC功率器件和GaNRF射频器件生产能力 。 其中SiC功率器件市场 ， 科锐的Wolfspeed拥有全球最大的市场份额 ， 也引领了SiC晶圆尺寸的变化浪潮；在GaN射频市场 ， Wolfspeed位居第二 。 科锐的GaNHEMT出货量超过了1500万只 ， 此外也拓展了GaN-on-SiC代工服务 。
近一年来 ， 科锐在SiC方面动作频频 ， 关键的事件有：
2019年1月 ， 科锐与意法半导体签署SiC晶圆片多年供应协议 。
2019年5月 ， 科锐宣布将投资10亿美金用来扩大SiC的产能 ， 包括整合一座8寸晶圆厂和一座SiC材料工厂 。
2019年8月 ， 科锐与安森美半导体签署SiC晶圆片多年期供应协议 。
2019年9月 ， 科锐宣布扩产计划 ， 将在美国纽约州建造全球最大SiC制造工厂 ， 该计划将实现30倍产能提升和更低的净资本性支出 。


推荐阅读


上一篇：金十数据|如今找上韩国巨头帮忙？，美国5G网速倒数第一！最先发布却最落后

下一篇：科技资讯眺望|40小时超长续航支撑，可以让你忘记充电的无线耳机