暖夏少年|7月新品推荐:汽车GPU、开关IC、MOSFET、储能电容器( 二 )


双MOSFET7月9日 , Vishay推出新款30 V n沟道MOSFET半桥功率级模块——SiZF300DT , 将高边TrenchFET?和低边SkyFET? MOSFET与集成式肖特基二极管组合在一个小型PowerPAIR? 3.3 mm * 3.3 mm封装中 。 该器件提高了功率密度和效率 , 同时有助于减少元器件数量、简化设计 , 适用于计算和通信应用功率转换 。
暖夏少年|7月新品推荐:汽车GPU、开关IC、MOSFET、储能电容器新发布器件中的两个MOSFET采用半桥配置内部连接 。 通道1MOSFET在10和4.5V条件下 , 最大导通电阻分别为4.5mW和7.0mW 。 通道2MOSFET在10V和4.5V条件下 , 导通电阻分别为1.84mW和2.57mW 。 两个MOSFET典型栅极电荷分别为6.9nC和19.4nC 。
新款双MOSFET模块现可提供样品并已实现量产 , 大宗订货供货周期为12周 。
储能电容器7月13日 , Vishay推出七款用于能量采集和备用电源应用的小型ENYCAP?双层储能电容器 , 外形尺寸从10mm * 20mm到12.5mm * 40mm , 容值为5F至22F 。
暖夏少年|7月新品推荐:汽车GPU、开关IC、MOSFET、储能电容器最新推出的小型ENYCAP系列电容器包括标准型220 EDLC、加固型225 EDLC-R、高压230 EDLC-HV和加固型高压235 EDLC-HVR , 具有更高功率密度 , 节省各种工业、再生能源和汽车应用空间 , 包括智能电表、手持电子设备、机器人、能量采集设备、电子门锁系统、应急照明等 。
Vishay的ENYCAP电容器适用于各种标准和恶劣高湿环境 , +85℃条件下使用寿命长达2,000小时 , 免维护 , 具有极高的设计灵活性 。 器件坚固耐用 , 经过1500小时85℃/相对湿度85%带电测试 , 耐潮能力达到最高等级 , 高压电容器额定电压达3.0V 。 器件经过AEC-Q200认证 , 符合RoHS标准 , 可进行快速充放电 , 提供通孔封装版本 。
外型尺寸更小的ENYCAP电容器现可提供样品并已实现量产 , 大宗订货供货周期为六周 。


推荐阅读