芯片|国产光刻机将迎来大进步! 最大技术难题曝光: 解决后可生产10nm芯片
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【7月28日讯】相信大家都知道 ， 自从在2020年5月15日 ， 美商务部再次对华为升级了”芯片断供禁令“以后 ， 让华为海思芯片再次陷入到”困境“之中 ， 对此国内很多网友们都非常希望 ， 国内的光刻机巨头—上海微电子 ， 能够研发生产出更加高端的光刻机 ， 补足国产芯片制造的最后一道短板 ， 而目前上海微电子所能够生产的光刻机 ， 最高只能够用于90nm的芯片制造 ， 只能够生产更加低端的芯片 ， 在技术领域与ASML的5nm光刻机还是有着很大一截的技术差距 。
但实际上 ， 我们从上海微电子、ASML这两家公司的发展历程来看 ， 荷兰ASML公司成立于1984年 ， 而上海微电子成立于2002年 ， 前后几乎相差了近20年时间 ， 所以起步较晚的上海微电子自然在技术层面上处于落后 ， 完全也是情有可原 。 但也有很多网友直接提出疑问：“为何上海微电子的光刻机技术一直都停留在90nm工艺上呢？”
【芯片|国产光刻机将迎来大进步! 最大技术难题曝光: 解决后可生产10nm芯片】其实对于上海微电子而言 ， 之所以在光刻机技术领域一直停留在90nm阶段 ， 很大程度上也是因为“浸润式光刻技术”这道门槛 ， 依旧还没有被攻破 ， 目前光刻机设备最为主要的光源有三种 ， 它们分别是汞灯光源、DUV光源、EUV光源；
而浸润式光刻机技术的灵感 ， 也是来自于全球最大的芯片代工巨头—台积电的工程师 ， 在光刻机发展到183nm波长的光源时 ， 受到相关的技术限制 ， 无法进一步向157nm波长的光源进军 ， 所以台积电的工程师直接提出了用水来做介质 ， 让光在水中产生折射 ， 让波长变短 ， 这也是为何ArF+immersion ， 明明是193nm ， 却能够等效于134nm光源的最重要原因 ， 这意味着一旦上海微电子能够解决浸润式技术；那么就可以实现28nm、16nm、14nm、10nm、7nm这些工艺节点的芯片光刻生产制造了 。
而目前上海微电子已经掌控了93nm的光源技术 ， 所以一旦在浸润式技术取得了突破以后 ， 最高就可以实现10nm芯片的量产 ， 同时也能够让国产芯片制造水平、国产光刻机技术水平都能够得到巨大的进步和提升 ， 让国内芯片制造产业不再遭受到“卡脖子”的威胁！
最后：各位小伙伴们 ， 你们对此有什么样的看法和意见呢？欢迎在评论区中留言讨论 ， 期待你们的精彩评论！
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