光刻机|中科院突破5nm激光光刻，中芯国际发声，暂不需要EUV光刻机
【光刻机|中科院突破5nm激光光刻，中芯国际发声，暂不需要EUV光刻机】
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最近中芯国际董事长周子学透露 ， 该公司已经量产和研发的工艺暂不需要EUV光刻机 。 都知道 ， 中芯国际早在荷兰ASML公司订购了一台EUV光刻机 ， 本该在19年交付 ， 但由于美国干涉 ， 该订单一直没被发出 。 于是中芯只得用DUV+光刻机多重曝光的方式往7nm靠拢 ， 虽然成本、良率差些 ， 但也算能实现 。 不需要EUV光刻机也意味着高盛预测的22年中芯将实现7nm的预测基本准确 ， 同时新的问题也出现了 ， 5nm必须要EUV光刻机才能实现 。
众所周知连半导体大佬台积电的5nm工艺都没能绕开EUV光刻机 ， 而国产最先进的光刻机还是上海微电子的明年才能产出的28nm光刻机 ， 差距甚远 ， 看来一时很难绕开ASML公司了 。 不过好在目前需要用到的5nm工艺的芯片只有华为的海思麒麟1020、高通875和苹果A14 ， 如果能在22年实现7nm ， 中端芯片的加工肯定能满足 。 现在看来中芯不仅需要考虑如何绕开美系技术为华为代工 ， 还需要考虑如何快速提升工艺水平 ， 因为随着台积电赴美 ， 国内能期待的晶圆厂也只有中芯和处于萌芽阶段的比亚迪半导体了 。
近期中科学院拿出了一项新型5nm超高精度光刻技术 ， 该技术与传统激光光刻技术不同 ， 可以实现超高精度的纳米尺度加工 ， 且材料不限于光刻胶 。 如今已能实现5nm超高精度的光刻 ， 同时由于没有材料限制 ， 成本降低的同时 ， 应用场景反而扩宽了 。 因此其不仅可以用于集成电路、光子芯片等微纳加工领域 ， 同时在制造紧凑型集成电路和生物芯片方面也能用到 。
虽然目前还不能用于大规模集成电路芯片的商业生产制造 ， 但是无疑给了一份期待 ， 中芯国际量产的14nm芯片并不是终点 ， 10nm以下级别的光刻技术也能突破 。 同时也说明了ASML所掌握的传统光刻技术并非唯一途径 ， 这种新型光刻技术或能成为华为、中芯、比亚迪的突破重围之法 。 现在看来国内至少已有两种方式（碳基芯片和新型超高精度光刻技术）来打破国外的芯片封锁 ， 就看哪项技术先突破了 。
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