股票|“印钞机”中芯国际( 三 ) |中年|低薪|

随着企业工艺的不断演进，设备厂的技术能力得到了显著提高，过去七年国产半导体装备的市场占有率从1%提高到了15% 。
此外，中芯国际还在积极推进产学研合作。其与国内集成电路领域的主要高校和研究机构开展产学研合作，共同发展前沿技术，推动科技成果的产业化，建设自主创新体系，提供在职训练岗位，培养面向工业的高端学术人才，促进学界和产业界的学术交流。

虽然中芯国际目前取得了不错的成绩，但与其直接竞争的都是国际知名企业。中兴国际与它们相比面临体量过小，技术受限等问题，中芯国际如何克服掣肘，实现突破？

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打破光刻机禁锢，实现N+1
此前，荷兰ASML的EUV光刻机禁运中芯国际事件，又将光刻机这一重要设备推向风口浪尖。
中芯国际与国际最先进的芯片制造水平只有一两代工艺的差距。但荷兰ASML禁止向中芯国际提供EUV光刻机，使得中芯国际无法获得EUV 技术，从而无法向更高制程前进。
制程，指的是芯片内电路与电路之间的距离。在生产CPU的过程中，集成电路的精细度、精度越高，生产工艺就越先进。制程是微电子技术发展与进步的重要指标，芯片制程越高，意味着芯片可以拥有更复杂的电路设计，不仅芯片性能得以提升，而且功耗也能大幅降低。
目前，除了台积电、英特尔、三星等世界顶尖厂商在积极追逐10nm、7nm、5nm甚至更先进的制程。由于技术和资金的问题，联电和格芯已经放缓了革新的脚步，这对于中国本土的晶圆厂而言，是个不错的发展机遇。中芯国际这些年在工艺的突破频频告捷，国产芯片崛起可期。

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2019年，中芯国际已宣布量产14nm芯片。且细看中芯国际的工艺研发路线可以发现，中芯国际在14nm量产后，可能会跳过10nm工艺，朝7nm的目标迈进。
中芯国际此前多次表示：中芯国际的下一代工艺是N+1工艺。虽然中芯国际没有透露具体细节，只是称下一代工艺与14nm相比，性能提升了20% ，功耗降低了57% ，逻辑面积缩小了63% ， SoC面积减少了55% 。
换算下来，这正是7nm的技术标准。
一直以来，英特尔是按照单位面积内晶体管的数量来判断芯片工艺的标准。英特尔10nm芯片一个单位占面积54*44nm ，每平方毫米1.008亿个晶体管；台积电7nm芯片一个单位占面积57*40nm ，每平方毫米1.0123亿个晶体管。而中芯国际的N+1代工艺，也达到了7nm的标准。
如果中芯国际能试产N+1工艺芯片，或能够小批量生产N+1工艺芯片，中芯国际将成为全球第三家掌握10nm以下工艺的芯片代工企业。
除此之外，中芯国际的FinFET技术研发也在不断向前推进。第一代FinFET（14nm）已成功量产，第二代FinFET（12nm工艺）正在研发稳步推进。
中芯国际CEO梁孟松曾多次表示，目前中芯国际无需EUV光刻机，也能实现7nm工艺的生产，台积电第一代7nm工艺芯片也没有使用EUV光刻机。未来，中芯国际致力于在先进制程上不断突破。
半导体行业由于技术难，垄断性高一直被誉为“印钞机”行业。此次中芯国际上市后，希望其能凭借资本的优势，促进国产半导体行业协同发展，扛起“国产替代”大旗。
不久的将来，中芯国际不仅是投资者的“印钞机” ，也能成为半导体行业的“印钞机” 。

股票|“印钞机”中芯国际( 三 )

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