打破|中科院传来好消息,5nm技术迎来新突破,或打破ASML限制

导语:中科院传来好消息,5nm技术迎来新突破,或打破ASML限制
在今年的5月15日,美国针对华为的制裁举措再次升级。这一次,美国商务部将修改产品出口规则,进一步限制半导体芯片对华为的供应,凡是用到美国技术、软硬件生产出的芯片,想要供应华为必须经过美国许可。美国这是要明令禁止使用美国技术及设备的企业,跟华为有合作往来。
 打破|中科院传来好消息,5nm技术迎来新突破,或打破ASML限制
文章图片
当美国这一禁令出台后,华为将面临着一大困局,台积电和中芯国际很有可能就会停止为华为代工芯片。毕竟,台积电和中芯国际也都用到了美国的技术。而且台积电和中芯国际也曾表态,未来有可能无法在为华为代工芯片。可以肯定的是,美国这次新规对华为带来的影响很大。
 打破|中科院传来好消息,5nm技术迎来新突破,或打破ASML限制
文章图片
当然了,美国再次对华为发起芯片制裁的新举措,是抓住了我国在芯片产业上的薄弱环节。根据2018年的数据显示,我国每年需要向美国等西方国家进口芯片达到3000亿美元,而制造芯片所需的先进光刻机也都是向荷兰ASML进口。
 打破|中科院传来好消息,5nm技术迎来新突破,或打破ASML限制
文章图片
不管是芯片还是制造芯片所需的先进光刻机,都是我国目前的薄弱环节。美国正是抓住了华为想要制造芯片就离不开台积电,而台积电又离不开美国的软件技术,因此为了限制华为及我国的发展,开始对华为实施芯片制裁举措。
不管是台积电最先进的5nm工艺,还是中芯国际即将量产的7nm工艺,在使用了包含美国技术标准后,都将无法在替华为代工芯片。这对华为来说是非常难受,看来国产芯片及制造之路还有很长一段路要走。然而,在这个时候,中科院传来了好消息!
 打破|中科院传来好消息,5nm技术迎来新突破,或打破ASML限制
文章图片
根据报道显示,中科院苏州纳米所研究院张子晹团队与国家纳米中心刘前合作,研发出全新超高精度5nm芯片直写技术。这是一种全新的三层堆叠薄膜结构,在无机钛膜光刻胶上采用双激光束交叠技术,通过精确控制密度和步长,实现最小5nm的特征线宽。
 打破|中科院传来好消息,5nm技术迎来新突破,或打破ASML限制
文章图片
简单来说,我国5nm芯片技术迎来了新突破,可能会绕开EUV光刻机技术量产芯片,或将打破ASML垄断的限制。大家应该都知道,荷兰的ASML是全球最大的光刻机生产厂家。其所生产的EUV光刻机,是高端芯片无法避开的制造设备。而我国中芯国际在花费1.2亿美元向ASML购买的EUV光刻机,在美国的阻挠下至今迟迟未能交付。
 打破|中科院传来好消息,5nm技术迎来新突破,或打破ASML限制
文章图片
足以可见,ASML的EUV光刻机对全世界芯片发展的重要性。恰巧的是,就在这个时候我国研究出了5nm芯片芯片的新技术,并可以绕开ASML的先进EUV光刻机技术。这就意味着,我国将初步的具备顶尖芯片的生产生产先进的5nm芯片的能力,而且还可以不使用美国等技术。
 打破|中科院传来好消息,5nm技术迎来新突破,或打破ASML限制
文章图片
可以说,这一次中科院发布的这项全新技术是历史性的,为我国未来的芯片产业迎来很大的希望。但是我国在芯片这条道路上要戒骄戒躁,目前张子晹团队研究出的5nm新技术还处于实验阶段,不过相信离真正的量产也不会太远了。
虽然今年将是5nm芯片的问世之年,在更高制作标准的工艺上,我国目前没有赶上,但是一旦该技术成熟,那么中国将彻底改变全球半导体产业链的现状,而华为则可能彻底摆脱美国的管控。
【 打破|中科院传来好消息,5nm技术迎来新突破,或打破ASML限制】大家对中科院的这项新技术有什么想说的?


    推荐阅读