青柠檬檬哒|Yes！但台积电 7nm 不一定比英特尔 10nm 先进，简单科普，AMD

2020-07-11

半导体工艺不断演进，晶体管尺寸越来越小，在单位面积上容纳更多了晶体管。在过去，每隔18-24个月，晶体管数量便会增加一倍，性能也将提升一倍，这就是著名的摩尔定律。
当下的半导体行业，这些纳米值（nm），并不代表晶体管的尺寸，而是代表制造的工艺技术。很久以前，晶体管的栅极间距与制造工艺技术（nm）相同，但是现在这个方法早已不适用了。目前也没有通用的标准，来衡量各家厂商的晶体管大小。不同的厂家有不同的计算方法，例如英特尔称之为10nm工艺，其实与台积电的7nm相似。实际上，现已成为没有实际意义的营销噱头。我们应该了解，真正重要的是晶体管密度，以MTr/mm2为单位，代表每平方毫米数百万个晶体管。如果真的要进行对比的话，晶体管密度算是一个不错的办法。
从相关资料显示，英特尔14nm工艺达到43.5MTr/mm2 ， 10nm工艺达到100.8MTr/mm2 ，而台积电方面7nm工艺达到95.3MTr/mm2 ， 7nm+EUV工艺为115.8MTr/mm2 ， 5nmEUV工艺171.3MTr/mm2 。因此从数据看，英特尔的10nm工艺，晶体管密度是比台积电7nm工艺要高的。另外，我们可以看到，英特尔14nm到10nm ，晶体管密度提升为之前的2.3倍，跨越相当大。也许正是太激进，导致了英特尔10nm迟迟不能量产，市场份额被对手侵蚀。

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