「光刻机」突破在即!国产11纳米光刻机要来了,专利超2400项,助力华为靠它

【「光刻机」突破在即!国产11纳米光刻机要来了,专利超2400项,助力华为靠它】
「光刻机」突破在即!国产11纳米光刻机要来了,专利超2400项,助力华为靠它
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「光刻机」突破在即!国产11纳米光刻机要来了,专利超2400项,助力华为靠它
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说起光刻机我们不得不想到荷兰ASML光刻机 , 其拥有世界上最先进光刻机 , 而其中最先进的极紫外光刻机(EUV光刻) , 全世界也只有ASML一家公司能制造 , 具备7nm芯片乃至5nm等芯片工艺 。 而且一台光刻机的单价1.5亿美元 , 而荷兰ASML每年能够生产的光刻机数量为24台左右 。
而在芯片代工方面 , 国内的中芯国际14nm芯片工艺还可以缓冲一下今年的国内芯片用量 , 但是在7nm芯片乃至5nm等芯片工艺方面依然落户 , 不得不靠EUV光刻 。 那么是否有国产光刻机?
答案是有 , 但是有差距 。 国内的上海微电子 , 虽然也能够生产出来光刻机 , 但目前只能够生产出来90nm的光刻机 , 目前上海微电子将交付首台国产28nm光刻机 。
不过现在还有最新消息称 , 上海微电子预计在今年12月 , 将可能下降首台采用ArF光源的可生产11纳米的SSA800/10W光刻机 。 如果采用华卓精科工作台的套刻精度指标优于1.7纳米 , 该光刻机有生产7纳米制程的潜力(多次曝光) 。 网友同时贴出SMEE的双工件台曝光系统的操作控制界面 。 同时还透露长春光机所正基于哈工大DPP-EUV光源研制EUV曝光机 , 预计两年内可推出 。
其它核心器件技术方面 , 依托浙江大学研发团队的启尔机电推出了可用于最高11nm制程浸没式光刻机的浸液系统 。 中微半导体也推出用于5nm制程蚀刻机 。 南大光电研发出193nm光刻胶 。 华为自研EDA已进行7纳米验证 。 换言之 , 国产11纳米光刻机即将到来 。

国产深紫外浸入式光刻机供应链:
1.由上海微电子负责总体集成 。
2.光刻机物镜组来自北京国望光学 。
3.光源来自科益虹源 。
4.浸液系统来自浙江启尔机电 。
5.双工件台来自华卓精科 。
专利申请超过2400项 , 上海微电子光刻机成为国产希望 。 公司成立于2002年 , 在国内中端先进封装光刻机和LED光刻机行业市场中 , 上海微电子占据了80%的市场份额 , 年出货大概在50-60台之间 。 目前SMEE直接持有各类专利及专利申请超过2400项 , 涉及光刻设备、激光应用、检测类、特殊应用类等各大产品技术领域 。
按照国产光刻机的研发进度 , 尤其是在中芯国际已经量产14nm并将推出7nm制程的关键时间节点 , 相信只要我国的芯片设计产业如华为龙芯等更多支持自主技术晶圆芯片生产制造的话 , 中芯会最终向更先进的5nm甚至3nm工艺制程进军 , 而国产光刻机也将突破重围 。 毕竟围绕着国产光刻机的国望光学、长春光机所、上海光机、科益虹源光电、中微半导体等在国产光刻机各项关键子系统在技术上已经攻关完成 , 推出相应的自主技术代替的商用产品是水到渠成的 。 对华为来说 , 只要把今年撑过去 , 未来的中国半导体设备与国际先进水平的差距将越来越小 。


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