[华强电子网]Nexperia推出的超微型MOSFET占位面积减小36%
Nexperia推出的超微型MOSFET占位面积减小36%
半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家Nexperia发布了一系列MOSFET产品 ， 采用超小型DFN0606封装 ， 适用于移动和便携式产品应用 ， 包括可穿戴设备 。 这些器件还提供低导通电阻RDS(on) ， 采用常用的0.35 mm间距 ， 从而简化了PCB组装过程 。
PMH系列MOSFET采用了DFN0606封装 ， 占位面积仅为0.62 x 0.62 mm ， 与前一代DFN1006器件相比 ， 节省了超过36%的空间 。 由于采用了先进工艺流程 ， 这些新器件提供低导通电阻RDS(on) ， 与竞争对手产品相比减小了60%以上 ， 它们还具备优良的ESD性能 ， 低至0.7 V的超低VGS电压阈值 ， 这个参数对低驱动电压的便携式产品应用至关重要 。
本文插图
Nexperia产品经理Sandy Wang评论道：“新一代可穿戴设备不断突破消费电子技术的界限 。 智能手机、智能手表、健身跟踪器和其他创新技术的演进需要微型化MOSFET ， 用以提供领先的性能和效率 ， 从而实现越来越多的复杂功能 。 Nexperia拥有很高产能和制造能力 ， 能够进行扩产 ， 以最大限度地满足市场需求 。 ”
【[华强电子网]Nexperia推出的超微型MOSFET占位面积减小36%】采用新型DFN0606封装的九款PMH器件现已上市 。
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