Nexperia P沟道MOSFET可将封装占位面积减少50%以上
半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家Nexperia宣布首次采用高鲁棒性、高空间利用率的LFPAK56 (Power-SO8)封装的P沟道MOSFET系列产品 。 新器件符合AEC-Q101标准 ， 适合汽车应用 ， 可作为DPAK MOSFET的理想替代产品 ， 在保证性能的基础上 ， 将封装占位面积减少了50%以上 。新系列产品在30 V至60 V工作电压范围内可供选择 ， 导通电阻RDS(on)低至10 mΩ (30 V) 。
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【Nexperia P沟道MOSFET可将封装占位面积减少50%以上】LFPAK封装采用铜夹片结构 ， 由Nexperia率先应用 ， 已在汽车等要求严格的应用领域中使用近20年 。 事实证明 ， 该封装的可靠性远高于AEC标准要求 ， 超出关键可靠性测试指标2倍 ， 同时独特的封装结构还提高了板级可靠性 。以前只有N沟道器件才采用LFPAK封装 。 现在 ， 由于工业需求 ， Nexperia扩展了LFPAK56产品系列 ， 将P沟道器件也囊括在内 。
Nexperia产品经理Malte Struck评论道：“新款P沟道MOSFET面向极性反接保护；作为高边开关 ， 用于座位调节、天窗和车窗控制等各种汽车应用 。 它们也适用于5G基站等工业应用场景 。 ”
采用LFPAK56封装的P沟道MOSFET现已上市 。
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