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「与非网」NAND，三星就开发超160层V，长江存储刚突破128层3D

与非网4月20日讯 ， 近日 ， 据韩国媒体报道 ， 三星目前正在开发具有160层或更高层的第7代V-NAND快闪存储器 ， 并且在相关技术方面已经取得重大进展 。
当前 ， 3DNANDFlash快闪存储器产品量产的最高堆叠层数为128层 ， 而如果报道属实的话 ， 三星所研发的更高层数的快闪存储器将是一次突破 。
「与非网」NAND，三星就开发超160层V，长江存储刚突破128层3D
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图源：TheDailyDot
另外 ， 报道还指出 ， 三星的第7代V-NAND快闪存储器将采用“双堆叠”的技术来达到更多堆叠层的目的 。 就现阶段来说 ， 如果完成160层堆叠的V-NAND快闪存储器开发 ， 将成为业界最高堆叠层数的产品 。
在存储器产业中 ， 当下的存储器均称为3DNANDFlash的快闪存储器 ， 而三星则正在研发V-NAND快闪存储器 ， 从名字来看就是下一代的产品 。 另一方面 ， 堆叠层数的多少是3DNANDFlash快闪存储器厂商的核心竞争力 ， 而目前三星是被公认为业界技术最先进的厂商 。 这一方面也是无需质疑的 ， 一个证据就是 ， 三星在2019年以166.7亿美元(约20万亿韩元)的营收 ， 在全球3DNANDFlash快闪存储器市场上成为龙头 ， 市占率达到35.9% 。
而从客观上来讲 ， 尽管新冠肺炎疫情爆发严重 ， 但是三星仍在继续进行存储器生产与研发的投资 ， 并没有停产或者受到影响 ， 还进一步对西安的NANDFlash快闪存储器工厂进行扩产 ， 可以说是不降反增 。
【「与非网」NAND，三星就开发超160层V，长江存储刚突破128层3D】不过这并不是唯一的研发报道 ， 有消息称 ， 除了三星之外 ， 韩国另一个存储器大厂SKHynix也在宣布了160层或更高层堆叠的3DNANDFlash快闪存储器开发与生产规划 。 对于我们消费者而言 ， 技术当然是越先进越好 ， 发展越快越好 。 而对于三星而言 ， 这次研发能否让其脱颖而出 ， 还有待市场的检验 。


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