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[强国兵器]中国实现“跳级”追赶，美国封锁又少一个，从32层到128层


[强国兵器]中国实现“跳级”追赶，美国封锁又少一个，从32层到128层
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【[强国兵器]中国实现“跳级”追赶，美国封锁又少一个，从32层到128层】长江存储
随着社会的进步发展 ， 科技越来越被重视 ， 科技的发展程度也一定程度上决定了国家的发展程度 。 在科技的发展上 ， 中国属于后来者 ， 作为先行者的美国 ， 本就在科技发展上领先中国 ， 却还处处限制中国 ， 对中国设下层层封锁 。 在缺少外部帮助的情况下 ， 中国仍然能够经常逆袭 。 最近 ， 长江存储又传出了十分给力的好消息 。
近日 ， 长江存储科技有限责任公司宣布其128层QLC3DNAND闪存研发成功 ， 并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证 。 这是全球首款128层QLC规格的3DNAND闪存芯片 ， 也是业内已知型号产品中最高单位面积存储密度 ， 最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量 。 历时3年 ， 长江存储实现了从32层到128层的跨越 ， 让中国在芯片上实现“跳级”追赶 。
[强国兵器]中国实现“跳级”追赶，美国封锁又少一个，从32层到128层
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长江存储研发的128层3D闪存芯片
存储芯片是智能手机、电脑等许多电子设备的重要部件 ， 多层芯片很难造 ， 不过成本效率更高 ， 因为它们可以容纳在一个单晶片上 。 云计算、5G等技术也是基于存储芯片技术的发展 。 而长江存储的出现则填补了我国在3DNAND闪存芯片领域的空白 ， 长江存储也是目前中国唯一能够在存储芯片领域实现量产的厂商 。 长江存储一直在努力追赶外国竞争对手 ， 以打造一个完全本土化的半导体行业为目标 。 存储器是半导体产业的重要分支 ， 长江存储128层QLC3DNAND闪存芯片的出现 ， 一下子就跃居该领域第一的位置 。
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中国芯片
此前 ， 三星、美光、SK海力士和凯侠等国际大厂一直在芯片领域占据领先位置 ， 原本按照正常发展 ， 长江存储在2019年下半年推出64层芯片后 ， 下一个应该是96层芯片 ， 目前这些国际大厂生产的就是96层3D闪存芯片 。 但没想到长江存储跳过96层芯片 ， 直接推出了128层3D闪存芯片 ， 打了这些国际大厂一个措手不及 。 同样感到措手不及的应该还要算上美国 ， 长江存储的动作让美国对中国的技术封锁又少了一个 。
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半导体材料加工
随着中国发展得越来越快 ， 让美国有了强烈的危机感 ， 美国害怕中国在科技上超过美国 。 因此 ， 从很早以前开始 ， 美国就有意地对中国进行技术封锁 ， 同时还限制向中国出口半导体等材料 ， 企图拖慢中国发展的脚步 。 半导体是制造芯片的关键材料 ， 而芯片又能极大地推动科技的发展 。 不过 ， 近年来 ， 中国在半导体材料和芯片方面都有了重大突破 ， 美国之前对中国设下的封锁正在被一层层地撕碎 。 （余果）


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