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「中国制造」国产存储芯片达到国际领先水平，中国制造再上层楼


据媒体报道指国产存储芯片企业长江存储已开发出128层的NAND flash存储芯片 ， 这是当前国际存储芯片企业正在投产的NAND flash技术 ， 意味着中国的存储芯片技术已达到国际领先水平 。

「中国制造」国产存储芯片达到国际领先水平，中国制造再上层楼
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中国是全球最大的制造国 ， 制造了全球超过七成的手机 ， 其他PC、平板电脑等电子产品也有很大比例在中国生产 ， 因此中国对芯片的需求极大 ， 据悉中国采购的芯片占全球芯片市场的份额超过五成 ， 采购的芯片金额甚至超过石油 。
存储芯片正中国进口的主要芯片之一 ， 估计中国采购的存储芯片占全球存储芯片的比例超过五分之一 。 然而在2019年以前 ， 中国几乎没有生产存储芯片 ， 全球的存储芯片主要由韩国、日本、美国生产 ， 中国对全球存储芯片的依赖性非常高 。
为改变这一局面 ， 中国努力推进存储芯片的研发和生产 ， 2018年长江存储生产出第一代NAND flash存储芯片 ， 2019年合肥长鑫生产出DDR内存芯片 ， 中国终于在存储芯片行业迈出了第一步 。
长江存储虽然在2018年开始投产NAND flash存储芯片 ， 然而其时它生产的NAND flash存储芯片仅是32层 ， 而当时全球主流的NAND flash存储芯片技术为64层 ， 长江存储也认识到自己在技术上的落后 ， 因此32层NAND flash存储芯片并没有大规模生产 ， 而仅为锤炼生产技术 ， 并提升研发人员的技术水平 。
2019年长江存储研发出64层NAND flash存储芯片 ， 追上了全球NAND flash存储芯片的主流技术水平 ， 它开始大规模投产NAND flash存储芯片 。 此时中国才真正实现了部分NAND flash存储芯片的自给 ， 不过其时由于长江存储才开始规模化生产 ， 国内市场的NAND flash存储芯片还是主要由国外供应 。
目前长江存储研发出128层NAND flash ， 预计该项技术的NAND flash存储芯片将很快投入量产 ， 而目前海外存储芯片也正在推进128层NAND flash存储芯片的量产 ， 这意味着中国的NAND flash存储芯片在技术上已接近国际领先水平 。
推动长江存储快速提升NAND flash存储芯片技术离不开国内企业的支持 ， 其中就包括华为 。 2019年华为被美国列入实体清单 ， 美国存储芯片企业美光与华为的合作受阻 ， 华为迅速与长江存储合作研发NAND flash存储芯片 ， 早在数年前华为就已研发SSD控制芯片 ， 在存储芯片技术上有一定积累 ， 而且它是全球第二大手机企业、前五大服务器厂商 ， 对NAND flash存储芯片有很大的需求 ， 华为的支持也加快了长江存储研发更先进的NAND flash存储芯片技术的脚步 。

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中国自改革开放以来主要是依靠来料加工的方式发展经济 ， 直到2007年之前加工贸易占中国贸易的比例还超过五成 ， 自那之后加工贸易占中国贸易的比例逐渐下降至近年的三成左右 ， 机电、通信等高技术产品占中国出口的比例逐渐提升 ， 凸显出中国制造正逐渐往高端制造业爬升 。
中国在NAND flash存储芯片技术上仅仅数年时间就接近国际先进水平 ， 对于中国制造业来说无疑是非常重大的技术进展 ， 代表着中国制造在数十年的努力下终于形成高度完善的产业链 ， 拥有了深厚的技术积累 ， 厚积薄发 ， 迅速突破 ， 代表着中国制造向中国创造转变再上层楼 。


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