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「主控」专访慧荣科技谢逸群：5G带动移动存储跨入新阶段

北京联盟_原题是：专访慧荣科技谢逸群：5G带动移动存储跨入新阶段
自5G标准完成制定 ， 并逐步在全球各地开始商用后 ， 5G高带宽、低时延的特性跨越性地提升了各行各业信息传输效率 ， 但同时5G网络的巨大数据吞吐量也对终端产品提出了更苛刻的要求 。目前新一代5G旗舰手机已经到来 ， 关于手机内部存储介质的性能被广泛提及 ， 也有越来越多的用户开始关注闪存标准、制造商技术、性能表现等等 。
从近期发布的5G旗舰手机来看 ， UFS 3.0闪存标准已经成为标配 ， 甚至一些些追求极致性能的手机还搭载了更先进的UFS 3.1闪存标准 ， 为用户提供了更快速、低延迟、低功耗的存储体验 。
慧荣科技作为全球最大的NAND闪存主控芯片供货商 ， 在去年9月展示了面向5G手机产品的SM2754主控芯片 ， 用来替换目前的UFS 3.0芯片 。目前搭载SM2754主控芯片的旗舰机已经面世 ， 本站有幸采访到了慧荣科技产品企划部经理谢逸群先生 ， 听他解答新一代闪存的技术优势及前景 。
「主控」专访慧荣科技谢逸群：5G带动移动存储跨入新阶段
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以下为采访内容：
1、5G的来临对闪存行业带来了哪些影响？
在5G 网络、人工智能、物联网及大数据运算等时下热门技术催发下 ， 带来更好的应用及加速容量需求的增加 ， 也将会带来更快的下载速度 ， 更低的网络延迟 ， 一部4K电影可能短短数十秒就能下载完成 ， 其产生的大量数据给存储行业带来的冲击也不容小觑 ， 这对NAND来说是一个很重要的市场应用 ， NAND 闪存已从2D进入3D 时代 ， 而国际闪存大厂在3D NAND技术上由96层来到128层技术堆栈 ，3D NAND接口的速度也已经从800 Mbps ， 提升到1600 Mbps ， 接下来就上看2000 Mbps以上 。同时中国正大力发展存储产业生态链 ， 在3D NAND及DRAM技术上急起直追 ， 全球存储市场正处于一个急剧变化的阶段 。
举例来说 ， 在移动领域 ， 基于视频内容和游戏的需求不断增长 ， 智能手机比以往需要更高的 DRAM及闪存存储规格 ， 以支持计算摄影、面部识别、增强现实等各种功能 。
这些技术的部署需要内存和闪存存储支持 ， 避免中断或故障产生 ， 以实现实时决策和最优的用户体验 ， 随着未来5G 网络的建成 ， 将进而促进对内存和闪存存储的新需求 。
2、为了满足手机厂商的定制化需求 ， 慧荣科技在技术上做了哪些努力？
从最早先的SD ， 到eMMC ， 再到UFS ， 手机闪存的改变巨大 ， 发展多年的eMMC界面 ， 再到可实现全双工运行的UFS ， 主控芯片设计门坎越来越高 ， UFS提升到3.1后 ， 高IOPS与低延迟的要求 ， 复杂度与成本都将大幅提升 。
为了低延迟 ， 可能需要从硬件上解决；为了电池寿命 ， 功耗或过热的问题 ， 要有多种温度的管理 ， 例如侦测到系统温度过热 ， 需要通过降速等机制来解决 ， 并且让不需要工作的模块省电；NAND Flash技术变化太快 ， 国际闪存大厂在3D NAND技术上由96层来到128层技术堆栈 ， 由于单位存储密度增加 ， 出错的频率也会增多 ， 这些原因都关系到产品的可靠度和竞争力 。
行动存储应用的UFS主控芯片 ， 需要重视高性能、低功耗及如何管理3D NAND让整个存储产品寿命延长 。慧荣科技控制器会预先规划来支持最新UFS规格及下一代3D NAND ， 同时也将低功耗(low power)规格放进设计以达到高性能的要求 。面对不同手机厂商的定制化需求 ， 搭配不同的资料连接接口与存储的设定 ， 都需要闪存主控芯片来加以量身订做与定制化设计 ， 慧荣正是NAND Flash主控芯片的全球领导者 ， 拥有超过20年的设计开发经验 ， 凭藉丰富的主控芯片经验 ， 广泛的支持各大厂3D NAND的硬件与固件 ， 提供量身订做的定制化设计满足手机厂商全方位的需求 。


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