『宇泽历史蜜儿』美光宣布将出货HBM2动态随机存储器
美光此前的开发重心都放在专有的混合存储多维数据集(HMC)DRAM类型上 ， 但该类型的DRAM并没有获得太多客户的青睐 ， 因此没有获得足够的支持 。 虽然少数稀有产品使用该类型DRAM ， 如2015年在富士通PRIMEHPCFX100超级计算机中使用的富士通SPARC64XIfxCPU 。
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美光宣布将在2018年暂停HMC的工作 ， 并决定致力于GDDR6和HBM的开发 。 因此他们将会在今年的某个时候发布搭载HBM2DRAM的产品 。 美光科技(MicronTechnologies)在最新财报中披露了旗下第二代高带宽存储器(HBM2)即将开始出货 。 由于价格相对高昂 ， HBM2主要应用于高性能显卡、服务器处理器以及高端处理器中 。
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HBM显存与显卡GPU封装
根据标准 ， 第二代高带宽存储器(HBM2)指定每个堆栈8个裸晶及每针传输速度上至2GT/s的标准 。 为保持1024bit的访问 ， 第二代高带宽存储器得以在每个封装中达到256GB/s的内存带宽及最高8GB容量 。 业界预测第二代高带宽存储器对极其需要性能的应用程序 ， 如虚拟现实 ， 至关重要 。
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三星半导体早在2016年1月19日就宣布第二代高带宽存储器的进入早期量产阶段 ， 每个堆栈均拥有8GB的内存;SK海力士随即宣布在2016年8月发布4GB版本的内存 。
【『宇泽历史蜜儿』美光宣布将出货HBM2动态随机存储器】虽然美光有点姗姗来迟 ， 但是随着美光即将出货HBM2显存 ， 存储器市场将再次形成三雄鼎立的局面 。
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