：格罗方德与Everspin宣布用12LP制程量产MRAM存储器件
格罗方德与 Everspin 宣布：两家公司已将联合开发的自旋转矩（STT-MRAM）器件的制造 ， 扩展至 12 nm FinFET 平台（简称 12LP） 。通过这项合作 ， 格罗方德能够利用已被广泛采用的 12nm 工艺来生产单独的 MRAM 芯片、或将之嵌入其它通过 12LP 技术制造的产品 。
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据悉 ， 两家公司的合作历史相当悠久 ， 最早可追溯到 40nm 的量产工艺 ， 然后扩展到 28nm HKMG 和 22nm FD-SOI（22FDX） 。
如今 ， 格罗方德已能够制造嵌入式的非容失性磁性随机存储器（eMRAM） 。而 Everspin 单独的 256 Mb 和 1 Gb MRAM 器件 ， 亦可通过 40 nm 和 28 nm 工艺量产制造 。
通过将 STT-MRAM 缩小至 12 nm 制程 ， 有助于双方进一步拉低 1 Gb 芯片成本 。以经济高效的方式 ， 生产更高容量的设备 。
尽管现有的 MRAM 芯片无法提供巨大的容量 ， 但其在特定领域的应用仍相当受欢迎 。Everspin 表示 ， 该公司已向超过 1000 个客户出货 1.25 亿个单独的 MRAM 芯片 。
此外 ， 引用该公司的一份报告：到 2029 年 ， 单独的 MRAM 器件销售额将达到 40 亿美元 。随着对大容量 MRAM 产品需求的不断扩展 ， 未来还需要用到更先进的工艺 。
格罗方德在其 12LP 平台（包括 12LP+）中增加了对 eMRAM 的支持 ， 可极大地提升该制程节点的竞争地位 ， 尤其是未来几年发布的主控 / 微控制器应用领域 。
比如 ， 群联（Phison）和华澜微电子（Sage）即将推出的一些企业级 SSD主控 ， 就会采用 Everspin 的 eMRAM 方案 ， 而不是单独使用该器件 。
eMARM 有望取代当前普遍采用的嵌入式闪存（eFlash） ， 以克服 NAND 存在的耐久度和性能等问题 。
【：格罗方德与Everspin宣布用12LP制程量产MRAM存储器件】作为一种磁性存储元器件 ， MRAM 能够感测由薄壁隔开的两个铁磁膜的各向异性 。由于不使用电荷或电流 ， 其能够在现代制程节点的帮助下 ， 实现更优秀的性能和耐久度 。
尽管 eMRAM 仍有其局限性 ， 但在其它技术出现之前 ， 这种兼顾静态（SRAM）和动态（DRAM）随机存储器特性的高度集成产品 ， 仍然能够在未来几年内被各个厂商欣然应用于诸多设备 。
