『陈星弼』中国半导体功率器件领路人走了( 二 ) 导体|陈星|功率|

『陈星弼』中国半导体功率器件领路人走了。该技术的发明被国际学术界称为“功率器件的新里程碑” 。应用该技术的工艺被改进后，成本大大下降，成果转化市场规模每年超过10亿美元。

陈星弼并没有停下探索的脚步，他对超结器件的缺陷耿耿于怀，随后又研制了具有异型掺杂岛耐压结构、新型表面耐压层结构，对耐压结构不断创新和改进。陈星弼的几项发明成为第二次电子革命的突破口。

因对我国功率半导体领域的突出贡献， 1999年陈星弼当选中国科学院院士。因对高压功率MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）理论与设计的卓越贡献， 2015年陈星弼获得国际功率半导体器件与集成电路年会（IEEE ISPSD）颁发的最高荣誉“国际功率半导体先驱奖” 。

“陈老师在55岁后才迎来他科研的井喷期，他常说‘我很幸运，生逢其时’ 。 ”陈星弼学生及挚友蒋臣琦回忆，他常常勉励学生要久久为功，久旱逢甘露，做科研要一步一脚印而不能急功近利。

12月24日《中国半导体功率器件领路人走了》陈星弼、胡思福教授进行光刻分析。 ?陈星弼院士研究团队供图

三尺讲台倾注丹心

“非常小的活页纸，正反两面都写，提纲挈领。 ”学生刘清泰清楚地记得50多年前陈老师给他们上课时的小卡片。 1959年，刚回到成都电讯工程学院的陈星弼给半导体材料与器件专业学生上《半导体物理》，他上课从不带讲稿，总是从身上摸出一张香烟盒大小的纸片，滔滔不绝地讲起来。

『陈星弼』中国半导体功率器件领路人走了。走上讲台，将讲授的内容像流水一样涓涓不息地淌出来，陈星弼对知识信手拈来的背后是他的勤奋。夜深人静时，他仍在纸上沙沙地写着教案，想着什么内容该讲，旁枝末节过多会否冲淡主题，若不满意就推翻重写。滚瓜烂熟后，他才将厚厚的教材浓缩成几页小纸片。

12月24日《中国半导体功率器件领路人走了》陈星弼院士。 ?陈星弼院士研究团队供图

除了专业知识，陈星弼还十分看重学生的文化素养。在一次开学典礼上，陈星弼要求每一位新生在大学期间记诵古文。他认为要成为人才，不能只顾眼前的专业，一定的文化底蕴也必不可少。

陈星弼常常向学生复述马克思的名言：“科学绝不是一种自私自利的享乐。有幸能够致力于科学研究的人，首先应该拿自己的学识为人类服务。 ”从实验室到三尺讲台，陈星弼把一生都献给了他所热爱的科学事业。

[ 责编：张梦凡 ]

『陈星弼』中国半导体功率器件领路人走了( 二 )