1 晶体管电路设计铃木雅臣pdf?二、晶体管放大电路设计与制作设计要求：输入正弦波信号：有效值Ui≤10mv，内阻Rs＝50? _晶体管电路设计

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请问有谁看过《晶体管电路设计》（日本人写的）这本书吗？做功放，觉得有必要看这本书？
二、晶体管放大电路设计与制作设计要求：（1）输入正弦波信号：有效值Ui≤10mv ，内阻Rs＝50
晶体管电路设计中有个hFE是O~BL四个档，什么意思，还有品名后面带L ，这是铃木雅臣的书上的，还有
设计一个晶体管放大电路已知工作电压VCC+12V 负载10KΩ 输入信息 vi=100mA设计一
在《晶体管电路设计》上册的21页， 2.2.7中：“为了吸收基极-发射极间电压随温度的变化
晶体管放大电路设计

Q1：请问有谁看过《晶体管电路设计》（日本人写的）这本书吗？做功放，觉得有必要看这本书？【1 晶体管电路设计铃木雅臣pdf?二、晶体管放大电路设计与制作设计要求：输入正弦波信号：有效值Ui≤10mv，内阻Rs＝50?】
你好，我自己也是做功放的，做过集成块的，后来觉得不好玩，就做分立元件，我开始也是看这本书的。这本书很好，讲的很详细，怎么设计都讲有，值得一看
Q2：二、晶体管放大电路设计与制作设计要求：（1）输入正弦波信号：有效值Ui≤10mv ，内阻Rs＝50
Aus = Uo/Ui = 3000/10 =300 ，采用一级共射放大电路应该能够满足要求。去参考教材等资料，看看源增益放大电路，得到电路图然后再去计算元件参数值。
Q3：晶体管电路设计中有个hFE是O~BL四个档，什么意思，还有品名后面带L ，这是铃木雅臣的书上的，还有
HFE是三极管的共发射极电流放大系数，也就是三极管的“放大倍数” ，数值上等于在共发射极电路中，三极管发射极电流Ie（或约等于集电极电流Ic）与基极电流Ib的比值。
它是三极管放大能力的量度。
至于分为4档，只是一个特定的选型或管理、销售办法，就像把产品分为1、2、3、4等品一样。
所谓“过渡频率”（fT）应该是标准称谓“特征频率”的一种译法。它指的是三极管β值（约等于前述HFE值）降低到1时的注入信号频率。在物理意义上，它是三极管理论上能工作的最高频率。
Q4：设计一个晶体管放大电路已知工作电压VCC+12V 负载10KΩ 输入信息 vi=100mA设计一
你需要是一个晶体管组成的单管放大电路还是一个多级放大器？
到底是单电源+12V还是双电源±12V？
vi=100mA是不是vi=100mV?
Q5：在《晶体管电路设计》上册的21页， 2.2.7中：“为了吸收基极-发射极间电压随温度的变化
1,这个和二极管温度曲线一样，当温度上升1度Vbe则减小2~2.5mV
2,所以BJT电晶体放大线路发射极会留1V的余量给Vbe变化以补偿用
3 ，温度上升同样也会导致反向漏电流增加，每上升1C增加7%
Q6：晶体管放大电路设计
附图中放大器技术指标
输入电阻Rs>6KΩ大于1KΩ
输出电阻Ro=500Ω小于3KΩ
电压放大倍数Av=100大于60
低频响应小于100Hz
高频响应大于100KHz
输入电压幅度40mV
输出电压不失真幅度4V
输出幅度达到4V时总谐波失真THD<2% ，信号10mV输出1V时THD<0.2%
图中晶体管β值按照100设计。晶体管可选用9013 。若晶体管β值不是100 ，则只要按照将图中Rb数值乘以 β除以100就得到修正的Rb 。
按照元增民《模拟电子技术》设计，不明之处请翻阅该书。

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