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闪存|国产闪存跳级式发展：明年追上232层 与三星技术差距只有1年

昨晚美光公司宣布量产了232层闪存 ， 这是全球首个突破200层的闪存 ， 是目前速度最快、密度最高的TLC闪存 ， 接下来三星、恺侠、西数、SK海力士的200+层闪存也会陆续量产 。
在闪存行业 ， 国内的厂商长江存储也在奋起追赶 ， 而且他们采取的策略不同 ， 是跳级式发展 ， 中间会越过一些过渡性的闪存 ， 量产64层闪存之后就进入了128层 ， 跳过了中间的96层闪存 。
【闪存|国产闪存跳级式发展：明年追上232层 与三星技术差距只有1年】目前长江存储生产的闪存主力是128层 ， 今年下半年将进一步提升到192层 ， 200+层以上的闪存也在开发中 ， 最快2023年底就能看到232层闪存 ， 慢一点的话也会在2024年搞定 。
如果明年看到国产的232层闪存 ， 那意味着从技术上来说国产闪存与三星、美光、SK海力士等公司的差距只有1年左右 ， 提升的非常快 。
当然 ， 技术差距缩短是一方面 ， 国产闪存目前主要的问题还是产能不足 ， 全球份额也就5%左右 ， 三星的份额超过35% ， 恺侠、收购Intel闪存业务的SK海力士两家大约也在20%上下 ， 未来几年中提升产能、抢占市场份额依然是国产闪存努力的方向 。
闪存|国产闪存跳级式发展：明年追上232层 与三星技术差距只有1年
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