闪存|从Xtacking 1.0到2.0 致态TiPro7000超过7400MB/s性能的秘密
近段时间以来 ， 致态TiPro7000的问世 ， 再次引发了全行业关注 ， 作为一家2016年堪堪成立 ， 不到6年 ， 却实现了从SATA到PCIe3.0 ， 再到如今消费级固态硬盘巅峰PCIe4.0 SSD ， 全领域的产品布局 ， 长江存储·致态背后的Xtacking?为何如此神奇？Xtacking技术究竟又有多少魔力？
根据官方解释 ， Xtacking?是长江存储核心专利和技术品牌 ， 代表着长江存储在3D NAND存储技术领域的创新进取和卓越贡献 ， 同时它也是长江存储面向企业客户、消费者推广3D NAND产品的关键所在 ， 也是体现长江存储原创设计的代表品牌 。
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致态TiPro7000（1TB）
这个解释实质上有两重意思 ， 一方面着重强调了Xtacking是一项核心的闪存制造技术 ， 是长江存储近年来发展壮大的关键专利 ， 另一方面则是揭示了Xtacking已然成为长江存储重要的品牌资产和代名词 ， 有着非同凡响的象征意义 。
今天 ， 我们抛开品牌意义不聊 ， 重点聊聊Xtacking?作为闪存制造技术 ， 是如何推动致态TiPro7000的性能炸裂 。
01 主流NAND闪存制造逻辑
在理解Xtacking?技术之前 ， 我们需要先聊聊全球其他闪存厂是如何制造闪存的 。
【闪存|从Xtacking 1.0到2.0 致态TiPro7000超过7400MB/s性能的秘密】
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图源于互联网
我们都知道现阶段全球NAND闪存玩家 ， 主要有三星、铠侠/西数、Intel/Micron以及SK海力士等几家 ， 其中铠侠和西数 ， intel和Micron ， 基于资本和市场共享机制 ， 在这里可视为一家 。
通过上图全球主流NAND闪存横截面可以看到 ， 制造技术上 ， 三星和铠侠/西数大体上保持一致 ， 都是常规的并列式架构 ， 这样的好处在于加工难度较低 ， 但对于晶圆蚀刻设备与技术要求太高 ， 尤其是三星采用的一次性加工、内存孔（Memory Hole）的HARC蚀刻技术 ， 更是对于设备和操作经验要求极高；
铠侠/西数采用的则是相对轻松的两个48层堆叠而成 ， 在技术难度上更具操作性 ， 但也存在着内存孔的贴合匹配等问题 。
Intel/Micron以及SK海力士 ， 则采用了另一条制造路径 ， 即CUA ， CMOS under Array ， 顾名思义就是将能够控制数据读取、写入的CMOS线路放置在Array以下的一种加工方式 ， 这样的架构同样存在制造工艺难度较高 ， 优势则在于能够扩大单个芯片的存储密度 。
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Xtacking架构下的长存颗粒
至于YMTC即长江存储则是采用了Xtacking架构 ， 该架构原理是将CMOS线路用一种不同于存储单元（Memory Cell）的晶圆制造而成 ， 分别通过Bonding工艺进行贴合 ， 更加朴素的解释便是等同于 ， 在指甲盖大小的面积上通过数十亿根金属通道 ， 将CMOS和Array进行连接 ， 合二为一 。
02 Xtacking的先进性
看到这里 ， 大家应该能够脑补Xtacking?架构和传统上下并列 ， CUA等闪存结构的不同之处 ， 那么耦合而成的Xtacking又有哪些特点呢？
从理论设计和实际经验来看 ， 主要有更快的传输速度、更高的存储密度以及更灵活的开发周期 。
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Xtacking架构生产工艺
先说速度 ， Xtacking的制造原理是在两片独立的晶圆上 ， 分别加工外围电路和存储单元 ， 这样的话 ， 可以在逻辑工艺上有着更多的自主选择性 ， 从而让NAND获取更高的I/O接口速度及更多的操作功能 ， 这也是致态TiPro7000能够取得超过7400MB/s的核心要义 ， 从闪存制造的源头上 ， 进行了性能优化 ， 更多更高的I/O接口通道 ， 为后续主控的性能调配奠定基础 。
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