阿斯麦|ASML拒绝新一代EUV光刻机跳票：找到日本巨头技术驰援
【阿斯麦|ASML拒绝新一代EUV光刻机跳票：找到日本巨头技术驰援】日前传出ASML新一代光刻机EXE:5000跳票到2025年之后的消息 ， 但似乎荷兰人已经找到帮手帮自己提速 。
日本最大半导体成膜、蚀刻设备公司东京电子（东京威力科创 ， Tokyo Electron）宣布 ， 将在镀膜/显影技术上与ASML合作 ， 以联合推进其下一代NA EUV光刻机的研制 ， 确保2023年投入运行 。
据悉 ， 参与该EUV光刻机研发的还有IMEC ， 即位于比利时的欧洲微电子中心 。
东京电子表示 ， 自旋金属抗蚀剂已显示出高分辨率和高蚀刻电阻 ， 并有望使图案更加精细 。然而 ， 含有金属的抗蚀剂也需要复杂的图案尺寸控制以及对晶片背面/斜面金属污染的较好控制 。为了应对这些挑战 ， 涂层/开发人员正在联合高NA实验室安装先进的工艺模块 ， 能够处理含金属的抗蚀剂 。
有观点将当前ASML已经出货的NXE：3400B/3400C乃至年底的3600D称作第一代EUV光刻机 ， 依据是物镜的NA（数值孔径）为0.33 ， 所谓下一代也就是第二代的NA提升到0.55 。0.55NA比0.33NA有着太多优势 ， 包括更高的对比度、图形曝光更低的成本、更高的生产效率等 。
EXE：5000之后还有EXE:5200 ， 它们将是2nm、1nm的主要依托 。
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