奔跑的小罗子|它们功不可没，国内芯片“破冰”？这两项重大突破背后
在5G、智能电子设备、人工智能等高科技行业发展的背后 ， 半导体行业均发挥着重要的作用 。 并且目前电子设备主要的核心单元都与半导体芯片紧密关联 。 随着我国高新技术的发展 ， 国内半导体芯片行业也蓬勃发展 。 有数据显示 ， 仅在去年 ， 我国半导体材料市场的销售额便达到了86.9亿美元 ， 销售规模位居全球第三 。
半导体芯片的诞生 ， 分为芯片设计、芯片制造、芯片封装等多个环节 。 在芯片设计方面 ， 我国企业已经走在了全球的前列 。 例如 ， 在早些时候CINNOResearch研究机构发布的2020年Q1中国智能手机SoC排行榜中 ， 华为海思以43.9%的市场份额排名第一 ， 超过了高通、联发科、苹果等同行对手 。
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但是 ， 在半导体芯片制造方面 ， 我国还和国外存在着一定的差距 。 在今年第一季度全球芯片代工企业收入排名中 ， 台积电、三星、辛格分别以102亿美元、29.9亿美元和14.5亿美元位列全球前三 ， 中芯国际则排名第五 。 其实 ， 除了在收入方面 ， 国内企业同国际同行存在较大差距 。 在芯片支撑方面 ， 国内芯片加工企业也相对较为落后 。 半导体设备（特别是光刻机）的来源不足 ， 技术积淀相对薄弱 ， 都是国内芯片企业需要面临的问题 。
【奔跑的小罗子|它们功不可没，国内芯片“破冰”？这两项重大突破背后】但是 ， 随着国内企业或者研究机构对于芯片制造的不断制造 ， 国内芯片产业正在“破冰” 。 目前已经取得了两个重大突破 。
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近日 ， 据媒体报道 ， 全球首个基于中芯国际FinFETN+1先进工艺的芯片流片和测试完成 ， 所有IP全部自主国产 ， 功能测试一次通过 。 “N＋1”工艺是中芯国际在第一代先进工艺14nm量产之后的第二代先进工艺的代号 ， 与14nm相比 ， “N＋1”工艺堪称是国产版的7nm芯片技术 。 正如中芯国际CEO梁孟松表示的那样 ， N＋1代工艺在功耗及稳定性上跟7nm工艺非常相似 ， 它将主要面向低功耗应用 。 与传统的7nm工艺存在一些不同 ， 中芯国际FinFETN+1先进工艺的芯片制造并不需要高精尖的E光刻机 。 因此 ， 这无疑是国内芯片行业的重大突破之一 。
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另一方面 ， 在近日举行的2020中国国际石墨烯创新大会上 ， 超平铜镍合金单晶晶圆、8英寸石墨烯单晶晶圆、锗基石墨烯晶圆等新材料亮相 ， 这充分展示出了我国在高质量石墨烯材料领域的创新成果 。
我国中科院的科研团队 ， 从2009年开始 ， 经过十多年的艰苦攻坚 ， 在石墨烯8英寸晶圆实现重大技术突破 ， 且已经实现稳定的小批量生产 。 据悉 ， 在石墨烯晶圆的产品尺寸和质量方面 ， 我国已经开始处于国际领跑地位 。 与传统的硅基晶圆不同 ， 石墨烯晶圆由碳元素为基底构成的晶圆 。 这种晶圆可以用于生产全新材质的芯片 ， 倘若其可以成功应用的话 ， 或将改变全球芯片发展的轨迹 。
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无论是中芯国际的FinFETN+1先进工艺 ， 亦或者是中科院团队的8英寸石墨烯单晶晶圆 ， 这两项芯片领域的重大突破 ， 在一定程度上折射出我国芯片产业开始逐渐“破冰” 。 而在这背后 ， 中芯国际、中科院等企业或者是研究机构功不可没 。
国内芯片“破冰”？这两项重大突破背后 ， 它们（中科院、中芯国际）功不可没 。 相信随着我国在半导体芯片领域的不断发力 ， 我国一定可以在相关领域取得一系列亮眼成绩！让我们拭目以待！
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