那年初夏|好样的！中芯传来好消息，三度突破工艺，迎来N+1芯片年底量产
【那年初夏|好样的！中芯传来好消息，三度突破工艺，迎来N+1芯片年底量产】
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文 | MaxProTech
时至今日 ， 芯片已经不仅仅被用于传统PC和移动笔记本 ， 还被广泛用于智能手机以及其他智能穿戴等设备 ， 如新型智能类型的手表、手环、AR全息眼镜等 。
而且随着5G时代的到来和不断推进 ， 上至地级以上城市 ， 下至县乡 ， 5G网络都将实现全面覆盖 ， 到那时 ， 物联网也将得到空前发展 。
这样一来 ， 中国将需要更多更先进的芯片 。 毕竟在万物互联中 ， 将会有更多的设备上需要搭载强大的处理芯片和5G通信芯片 ， 以保证物联网可以高效快速地运作 。
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目前国内很多厂商都可以开发自己的处理器和5G通信基带 ， 比如华为开发的海思系列、紫光展锐开发的虎贲和春腾系列、中兴等厂商也可以开发工艺先进的芯片 。
但在先进芯片的制造方面 ， 与国外领先企业相比 ， 国内厂商还有不少差距 ， 某些关键技术仍需进一步突破 。
据了解 ， 目前国内厂商尽管已经可以批量生产14nm工艺的芯片 ， 以及小规模试产12nm工艺的芯片 ， 但是量产还是主要以14nm或28nm工艺的芯片为主 。
众所周知 ， 生产7nm以下的芯片需要阿斯麦的EUV光刻机 ， 同时基于美国禁令的限制 ， 国内厂商无法获得 。
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然而 ， 在缺乏EUV光刻机的情况下 ， 国内厂商也发现了先进芯片制造的新方法 。
根据中芯国际梁梦松博士早些时候的说法 ， 他创造了自己的芯片制造方法——FinFET N+1工艺 ， 简称N+1工艺 。
据悉 ， 与14nm工艺相比 ， 这套N+1工艺在性能方面提高了20% ， 在功耗、逻辑面和SoC面积三方面也均有大幅下降 ， 降幅分别为57%、63%和55% 。
而与目前的7nm工艺相比 ， 虽然在性能方面稍弱 ， 但在稳定性和功耗方面 ， 这套N+1工艺可以说已非常相似 。
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特别要指出的是 ， N+1工艺之后 ， 中芯国际还在推进N+2工艺 。 在功耗上 ， 两者非常相近 ， 而在性能上 ， N+2工艺则会更强 ， 当然其成本自然也会增加 。
简单来说 ， N+1重在低功耗 ， N+2重在高性能 。
此外 ， 这套N+1工艺预计2020年底实现量产 ， 而N+2工艺则需要在2021年底才进行试产 。
振奋人心的是 ， 中芯国际传来了好消息 ， 近日其官方宣布第二代FinFE TN+1已经进入客户引入阶段 ， 预计到2020年底进行小批量试产 。
也就是说 ， 中芯国际的第一代N+1工艺芯片年底就要问世了 。
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半导体工厂 ， 印刷电路板
不得不说 ， 中芯国际是好样的！
因为中芯国际在技术上的进步实在是快 ， 2019年底才完全攻克14nm工艺 ， 随后没多久又再次攻克12nm工艺并开始试产 。
而如今 ， 中芯国际更是迎来新一轮突破 ， 实现N+1工艺 ， 这意味着在一年多的时间里 ， 中芯实现了三度突破 。
要知道 ， 至今就连芯片界老大哥英特尔也还是停留在10nm工艺 ， 7nm工艺也并未攻克 。
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而后起之秀中芯国际则在短时间内实现三度突破 ， 不但攻克了14nm和12nm ， 还在缺少EVU光刻机的前提下 ， 另辟蹊径开创了N+1工艺 ， 使其芯片无论在性能提升 ， 还是在功耗、逻辑面积和SoC面积控制等方面都有不俗表现 。
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