IT之家|台积电2024年将量产突破性的2nm工艺晶体管
北京联盟_本文原题：台积电2024年将量产突破性的2nm工艺晶体管
IT之家 9 月 25 日消息 据 wccftech 报道 ， 台湾半导体制造公司（TSMC）在 2nm 半导体制造节点的研发方面取得了重要突破：台积电有望在 2023 年中期进入 2nm 工艺的试生产阶段 ， 并于一年后开始批量生产 。
【IT之家|台积电2024年将量产突破性的2nm工艺晶体管】
本文插图
目前 ， 台积电的最新制造工艺是其第一代 5 纳米工艺 ， 该工艺将用于为 iPhone 12 等设备构建处理器 。
台积电的 2nm 工艺将采用差分晶体管设计 。 该设计被称为多桥沟道场效应（MBCFET）晶体管 ， 它是对先前 FinFET 设计的补充 。
台积电第一次作出将 MBCFET 设计用于其晶体管而不是交由晶圆代工厂的决定 。 三星于去年 4 月宣布了其 3nm 制造工艺的设计 ， 该公司的 MBCFET 设计是对 2017 年与 IBM 共同开发和推出的 GAAFET 晶体管的改进 。 三星的 MBCFET 与 GAAFET 相比 ， 前者使用纳米线 。 这增加了可用于传导的表面积 ， 更重要的是 ， 它允许设计人员在不增加横向表面积的情况下向晶体管添加更多的栅极 。
IT之家了解到 ， 台积电预计其 2 纳米工艺芯片的良率在 2023 年将达到惊人的 90% 。 若事实如此 ， 那么该晶圆厂将能够很好地完善其制造工艺 ， 并轻松地于 2024 年实现量产 。 三星在发布 MBCFET 时表示 ， 预计 3nm 晶体管的功耗将分别比 7nm 设计降低 30% 和 45% 并将性能提高 30% 。
推荐阅读
- 享帮米之家|隐秘的生意 | 你在几十家网店买的东西，可能都来自同一家公司
- 华为|华为再次痛失大单！英国之后，诺基亚又拿下比利时5G订单！台积电又有新动作？
- 行业互联网,台积电|3个好消息传来！台积电势如破竹，三星“超车计划”变白日梦
- 爱集微APP|传台积电许可证获批，将继续向华为供应部分产品
- 36氪|【台积电已从美国商务部获得许可证，台积电或继续向华为供应产品】
- IT之家|智能手机热点可替代宽带？中国移动解答
- PChome电脑之家|OPPO清华携手打造研究中心 探索智能技术发展
- IT之家|AMD 下一代 Zen 4架构 CPU 正在设计中，采用 5nm 工艺
- IT之家|AMD发布锐龙 5000 系列台式机处理器：IPC 猛增 19%
- 台积电|从购买二手光刻机想起，国内的光刻机之路还需要多久？