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纳米|国产替代加速！中芯国际宣布重大突破：8纳米芯片年底小批量试产


纳米|国产替代加速！中芯国际宣布重大突破：8纳米芯片年底小批量试产
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纳米|国产替代加速！中芯国际宣布重大突破：8纳米芯片年底小批量试产

图文|科技故人根据国内媒体报道 ， 在9月18日回答社会关注问题时 ， 中国大陆的半导体代工龙头中芯国际SMIC正式宣布：公司第一代FinFET 14纳米已于2019年四季度量产；第二代FinFET N+1已进入客户导入阶段 ， 可望于2020年底小批量试产
终于等来了！作为第一代FinFET技术的升级版 ， 中芯国际的第二代FinFET N+1技术将正式突破14纳米制程的限制 ， 成为中国大陆首家打入10纳米及以下工艺制程的厂家 ， 值得祝贺！
中芯国际自研N+1技术
在全球的所有产业中 ， 半导体行业是最复杂、技术难度最高、资金投入最大的 ， 从随处可见的一碰黄沙到集成了百亿多晶体管的一块指甲盖大小的芯片 ， 要经过芯片设计、芯片制造、芯片封测三大环节
其中芯片制造是最难的部分 ， 像高通、苹果、华为海思、AMD、联发科等厂商只是做芯片设计部分 ， 芯片制造都是交给台积电、三星电子、格罗方德、中芯国际等芯片代工企业
作为中国大陆最大的芯片代工企业 ， 中芯国际目前成熟掌握的是14纳米制程芯片的制造 ， 不过 ， 中芯国际最新研发的N+1和N+2技术将会打破这个限制 ， 根据推算 ， N+2工艺最终可以实现7纳米及以上制程芯片的制造 ， 这一切都要感谢一个大佬的加入：梁孟松
梁孟松堪称芯片业的传奇人物 ， 在加入中芯国际之前 ， 他在美国芯片巨头AMD、台积电、三星都有过任职 ， 在台积电的17年里为台积电的发展壮大立下过汗马功劳 ， 三星从28纳米直接跳过20纳米和16纳米直接研发14纳米技术 ， 就是梁孟松主导的 ， 最终三星比台积电早半年实现了14纳米工艺！
2017年梁孟松来到中芯国际之时 ， 中芯国际面临内忧外患 ， 对内迟迟突破不了14纳米工艺的研发 ， 对外则面临订单减少公司亏损的困境 ， 梁孟松加入之后 ， 只用了298天的时间就将14纳米工艺技术研制成功 ， 将产品良率从个位数提升到了95%！
性能接近台积电的8纳米工艺
经过了两年的研发之后 ， 梁孟松带领中芯国际提出了自己的突破方案：N+1、N+2技术 ， N+1的目标是从14纳米制程基础上实现10~12纳米芯片的制造；N+2的目标是实现7纳米芯片的制造
刚刚突破的就是第二代FinFET N+1工艺 ， 根据梁孟松公开的透露的数据 ， 中芯国际的N+1工艺比台积电的14纳米工艺性能提升20%、功耗降低7%、面积缩小了63% ， 按照台积电的制程计算方式 ， 大约等效8纳米制程 ， 比预想的10~12纳米制程几乎整整提升了一代 ， 点赞！
需要说明的是 ， 中芯国际目前实现的等效8纳米工艺 ， 只算是踏入了8纳米的门槛 ， 主要还是面向中低端芯片 ， 如果想完全达到台积电和三星等主打高性能的8纳米工艺 ， 还有不少技术难题需要继续攻克
中芯国际提出的N+1、N+2工艺的目标 ， 就是最终实现7纳米芯片的量产 ， 目前距离这个目标已经迈出了一大步 ， 因为8纳米工艺跟7纳米工艺几乎是同一个制程上了 ， 有了7纳米工艺之后 ， 只要产能足够释放 ， 中国90%以上的芯片将能实现自产自销！
写在最后
从中芯国际和梁孟松的例子可以看出 ， 大国崛起最重要的还是要靠人才和教育 ， 没有基础理论创新 ， 科技进步就是空谈 ， 梁孟松在加入AMD之前 ， 曾经在美国著名的加州大学伯克利分校拿到博士学位


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