芯片|国产芯片“直道”超车，北大团队克服世界难题，芯片技术突破瓶颈
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目前 ， 硅基半导体虽仍为业界主流 ， 但因为硅基材料的尺寸具有物理极限 ， 会使得芯片产业陷入止步不前的境地 。 而根据国际半导体技术发展路线图委员会分析 ， 大约在2020年 ， 硅基半导体的性能将达到物理学极限 。 为此 ， 几年前业界便在寻求硅基半导体的接替者 。
根据ITRSS在2008年研究报告显示 ， 碳基电子将成为未来研究重点 。 碳基材料在可兼容性、纳米尺寸、通透性等多方面 ， 都较硅基材料更优异 。 而由此制成的碳基集成电路也将拥有更高的能效、速率 。 因此 ， 多年来IBM、斯坦福大学、麻省理工学院研究团队等 ， 都纷纷入局 。
而我国也投身于碳基领域 ， 并取得令人瞩目的成就 。 在今年五月 ， 权威学术期刊《Science》上一篇关于“一种为全新碳纳米管制备方法”的文章 ， 引起了广泛关注 。 通过这一方法 ， 可以实现兼具高密度与高纯度的碳纳米晶体管 。 据悉 ， 碳纳米管的纯度能达到99.9999%之高 。
而这一成果来自于北京元芯碳基集成电路研究院 ， 该研究院由北京大学发起 。 同时 ， 作为我国碳基领域中坚力量的中科院也传来好消息 ， 由彭练矛与张志勇教授带领的团队 ， 研发出能生产出低能耗、高数据处理速度的碳基芯片技术 。 目前 ， 这一碳基集成电路的研究也被收录于《Science》之中 。
不仅如此 ， 北京大学碳纳米半导体材料研究团队又攻克了一世界难题 ， 成果已成功亮相于《自然·电子学》这一国际顶级学术期刊之中 。 据了解 ， 北大的这一研究团队 ， 在“抗辐射”碳纳米晶体管与集成电路中取得突破性成果 。 也就是说 ， 我国碳基半导体有望实现抗辐射 。
【芯片|国产芯片“直道”超车，北大团队克服世界难题，芯片技术突破瓶颈】
这对于有较高辐射的领域 ， 如航空航天、核工业等 ， 有着重要的意义 。 当前 ， 我国在碳基半导体领域的研究已经走在世界前列 ， 有望实现我国芯片的“直道”超车 ， 这一点属实令人振奋 。 在前段时间 ， 在湖南湘潭 ， 碳基材料与信息器件研讨会成功召开 。
其中 ， 彭练矛院士对我国碳基电子的发展抱有极大的肯定 。 他认为 ， 碳基电子有望从上游材料起 ， 完全突破如今的半导体技术 。 碳基电子有望成为国之利器 ， 带领我国芯片产业在“直道”超车 ， 令人振奋 。 不过 ， 碳基技术从实验室到实际应用 ， 还有很长的路要走 。
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