驱动之家|三星宣布量产容量最大LPDDR5内存芯片：6400MHz、首次采用EUV工艺
今日（8月30日） ， 三星电子宣布 ， 其位于韩国平泽市的第二代产线 ， 已经开始大规模量产业内首批16Gb(2GB)容量的LPDD5内存芯片 ， 并导入EUV极紫外光刻工艺 。
【驱动之家|三星宣布量产容量最大LPDDR5内存芯片：6400MHz、首次采用EUV工艺】芯片基于三星第三代10nm级（1z）工艺打造 ， 16Gb也达成了业内最高容量和最佳性能 。
据悉 ， 该LPDDR5内存芯片的带宽速度为6400Mbps（等价6400MHz） ， 比现款12GbLPDDR5-5500快了16% 。 在16GB的总容量下 ， 允许一秒内传输10部5GB高清电影（51.2GB） 。
三星还表示 ， 得益于先进的1znmEUV工艺 ， 单芯片比上代薄了30% 。 从封装上讲 ， 10片就能凑成16GB容量 ， 上一代1ynm则需要12片（单芯片12Gb） 。 如此以来节省的空间可以为5G手机创造更大的可能 ， 比如更强的AP处理器、更大的电池、更充沛的天线布局等 。
按照三星的预估 ， 第一批搭载自家1znm16GBLPDDR5封装内存的旗舰机将在2021年批量上市 ， 恐怕明年初的GalaxyS21/30上就能见到了 。
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