行业互联网|国内首颗内置GaN电源芯片问世：减少40%外围，最大45W
2020年8月21日 ， 充电头网主办的「2020（秋季）USB PD＆Type-C亚洲展」在深圳成功举办 。 在本次展会的研讨会上 ， 东科半导体半导体董事、销售总监赵少峰先生带来了 《东科半导体匠心所在——高功率密度下合封芯片优势》主题演讲 ， 重磅发布了国内首颗合封GaN的电源管理芯片DKG045Q系列 ， 成为了氮化镓技术在快充电源领域的发展的里程碑 。 东科也由此成为了国内首家掌握氮化镓功率器件与电源管理芯片合封技术的厂商 。
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据赵少峰先生介绍 ， 东科DKG045Q系列采用QFN 5mm*6mm封装 ，内部整合了650V/200mΩ E-mode GaN HEMT、逻辑控制器、GaN驱动器、高压启动管等 ， 采用变频QR控制方式 ， 最大输出功率为45W ， 开关频率最高为200kHz 。
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东科DKG045Q系列采用高集成的设计 ， 有助提高快充产品的整体功率密度 。 除了将氮化镓器件内置 ， 该芯片内部还集成了自供电线路 ， 无需第三绕组 ， 无需Vcc稳压电路、Brown in/Brown out保护、全电压恒功率补偿以及各种保护功能 。
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得益于东科合封氮化镓电源管理芯片DKG045Q以及高集成同步整流芯片DK5V100R10M的采用 ， 东科45W氮化镓快充DEMO整体布局十分精简 。 据悉 ， 东科仅用了64个元器件就完成了这套参考设计的开发 ， 产品精简程度颠覆传统 。 功率密度方面 ， 该参考设计的整体尺寸约为43.1mm×36.1mm×19.6mm ， 配上外壳之后 ， 其功率密度仍可以达到1.12W/cm3 ， 领先目前市面上的大部分氮化镓快充产品 。
总结
东科采用合封式控制器+驱动器+GaN HEMT方案 ， 减小快充方案在高频下的寄生参数 ， 从而降低了快充电源的调试难度 ， 并达到了精简外围元器件、提高功率密度的目的 。
【行业互联网|国内首颗内置GaN电源芯片问世：减少40%外围，最大45W】在成本方面 ， 得益于高集成的芯片设计 ， 基于东科电源芯片开发的氮化镓快充方案 ， 外围器件数量减少了40%以上 ， 生产成本大幅降低 ， 对推动速氮化镓快充技术的普及起到了积极地作用 。
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