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ARM|[图]ARM和DARPA签署三年合作协议 以维持美国芯片设计领先地位

【ARM|[图]ARM和DARPA签署三年合作协议 以维持美国芯片设计领先地位】英国芯片设计公司 ARM 昨天宣布 ， 它已经和美国国防高级研究计划局（DARPA）签订了为期三年的合作协议 ， 这一进展与美国最近将半导体制造引入其国内的努力相一致 。在宣布这一消息的同时 ， 该机构结束了与电子复兴计划(ERI)相关的活动 ， 该计划的重点是减少对国际制造的半导体的依赖 。
ARM|[图]ARM和DARPA签署三年合作协议 以维持美国芯片设计领先地位
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根据合作关系 ， ARM 公司的所有商业芯片设计架构和知识产权都可用于 DARPA 项目 。二者还将在依靠低功耗使用的传感器等工作上进行合作 ， 以实现持续监测 。在昨天召开的 ERI 峰会上 ， ARM 首席执行官 Simon Segars 重点讨论了物联网（IoT）范畴的设备 ， 以及这些设备与下一代 5G 网络的连接 。
ARM|[图]ARM和DARPA签署三年合作协议 以维持美国芯片设计领先地位
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ERI是一个有两年历史的项目 ， 它是在政府关注芯片设计和创新资源向国外转移之后设立的 ， 它的目的是将产业界和学术界的合作伙伴聚集在一起 ， 促进微电子产业的四个关键领域 。这些领域包括开发用于芯片制造的新材料、通过通硅孔垂直整合多个器件、创建芯片的定制应用以及确保芯片安全和设计的最新知识 。
ARM 和 DARPA 还针对属于近零功率射频和传感器操作（N-Zero）计划的传感器进行合作 。通过该计划 ， ARM 将为 1000 名 DARPA 员工提供访问其知识产权的机会 。N-Zero 计划专门用于军事用途的产品 ， 它的目标是开发能够在低功耗状态下检测光、声音和运动并长期保持休眠状态的传感器 。


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