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行业互联网|群雄竞逐先进封装( 二 )


一位业内人士表示 ， 早前由于先进封装技术研发需要投入巨资、技术门槛亦较高 ， 传统OSAT只有头部厂商有条件涉足 ， 台积电为锁定大客户订单、满足客户对于产品性能升级需求以及快速交付产品等 ， 近年来大举进军先进封装领域 ， 三星、英特尔等IDM厂商亦在重点布局 ， 台积电等在先进封装技术领域已走在前列 。
No.1 台积电
台积电被视为先进封装技术领先者 ， 其开发了包括CoWoS（Chip on Wafer on Substrate）、整合型扇出封装技术InFO（Integrated Fan-Out, InFO）、SoIC（System on Integrated Chip, SoIC）等创新技术 。 凭借其先进封装技术优势 ， 台积电与苹果签署了独家代工合同 ， 独占苹果iPhone代工订单多年 ， 包括iPhone 7、iPhone 8、iPhone X等多代产品 。
对于台积电而言 ， 先进封装已成为其持续发展的成熟业务 。 目前 ， 台积电的InFO已进入第四代的量产 。 根据年报 ， 2019年台积电已大量生产第四代整合型扇出层叠封装技术（Integrated Fan-Out Packageon-Package, InFO-PoP） ， 第五代InFO-PoP和第二代整合型扇出暨封装基板技术（InFO on Substrate, InFO_oS）也分别通过了认证 。
此外 ， 台积电于2012年推出CoWoS技术现已发展至第四代、第五代 ， 第四代CoWoS藉由扩大硅中介层的尺寸而进一步提高封装整体性能 。 2019年年报显示 ， 其正在开发的第五代CoWoS的中介层面积高达2400平方毫米 ， 并同时考虑了新的芯片架构 ， 例如小芯片、系统整合芯片以及第三代高频宽记忆体（HBM3） 。
台积电还开发了创新的晶圆级封装技术——系统整合芯片（System on Integrated Chip, SoIC） ， 是以关键的铜到铜接合结构 ， 搭配TSV以实现最先进的3D IC技术 ， 可将多个小芯片整合成一个面积更小与轮廓更薄的系统单晶片 ， 根据2019年年报 ， 台积电已完成SoIC制程认证 ， 开发出微米级接合间距制程 ，并获得极高的电性良率与可靠度数据 。
No.2 英特尔
除了台积电 ， 英特尔作为IDM厂商在推进先进制程的同时也在发力先进封装技术 ， 希望通过晶体管、封装和芯片设计协同优化进步以推动摩尔定律发展演进 。
2017年 ， 英特尔推出了EMIB（Embedded Multi-Die Interconnect Bridge ， 嵌入式多芯片互连桥接）封装技术 ， 可将不同类型、不同工艺的芯片IP灵活地组合在一起 ， 类似一个松散的SoC 。 2018年12月 ， 英特尔再推出Foveros 3D堆叠封装技术 ， 可以通过在水平布置的芯片之上垂直安置更多面积更小、功能更简单的小芯片来让方案整体具备更完整的功能 。
2019年7月 ，英特尔在SEMICON West 大会上分享了三项全新先进封装技术技术 ， Co-EMIB、全方位互连技术ODI（Omni-Directional Interconnect）、全新裸片间接口技术MDIO 。 Co-EMIB可以理解为EMIB和Foveros两项技术的结合 ， 在水平物理层互连和垂直互连的同时 ， 实现Foveros 3D堆叠之间的水平互连 。
No.3 三星
三星电子方面 ， 媒体报道称其将在先进封装上加大投入 ， 以期与台积电一较高下 。 据了解 ， 2015年在丢失苹果iPhone处理器代工订单后 ， 三星电子成立了特别工作小组 ， 目标开发先进封装FOPLP技术 。 2018年 ， 三星电子FOPLP技术实现商用 ， 应用于其自家智能手手表Galaxy Watch的处理器封装应用中 。
2019年10月 ， 三星电子宣布已率先开发出12层3D-TSV技术 。 三星电子方面表示 ， 这是大规模生产高性能芯片的最具挑战性的封装技术之一 ， 该技术可垂直堆叠12个DRAM芯片 ， 它们通过60000个TSV互连 ， 每一层的厚度仅有头发丝的1/20 。
除了台积电、英特尔、三星电子等几家在先进封装领域表现突出外 ， 还有如存储器大厂美光也开始自建封测产线、中国本土晶圆代工厂中芯国际与OSAT厂商长电科技合作投建封测厂中芯长电主攻先进封装......


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