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台积电|台积电2nm制程取得巨大成功，将切入GAA技术

【台积电|台积电2nm制程取得巨大成功，将切入GAA技术】追求先进制程一直是台积电、三星等芯片厂商一直努力的方向 。更先进的制程拥有密度更高的IC电路设计 ， 意味着在同样大小面积的IC中 ， 可以拥有密度更高、功能更复杂的电路设计 ， 也就能达到更高的性能 。
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如今台积电已经量产了7nm工艺并即将投产5nm 。而三星虽然在7nm时代落后于台积电 ， 但三星想要在5nm时代弯道超车 ， 并宣称要在2030年前超过台积电 。
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不过最近有消息称台积电在2nm先进制程研究方面有了重大突破 ， 已成功找到路径 ， 将切入环绕式栅极技术 (gate-all-around ， 简称GAA)技术 。
消息称三星已决定在3nm率先导入GAA技术 ， 并宣称要到2030年超过台积电 ， 取得全球逻辑芯片代工龙头地位 。因此台积电研发一刻也不敢松懈 ， 积极投入2nm研发 ， 并获得技术重大突破 ， 成功找到切入GAA路径 。
台积电负责研发的资深副总经理罗唯仁 ， 还为此举办庆功宴 ， 感谢研发工程师全心投入 。
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台积电3nm制程预计明年上半年在南科18厂P4厂试产、2022年量产 ， 业界以此推断 ， 台积电2nm推出时间将在2023年到2024年间 。
台积电今年4月曾表示 ， 3nm仍会沿用FinFET（鳍式场效应晶体管）技术 ， 主要考虑是客户在导入5nm制程后 ， 采用同样的设计即可导入3nm制程 ， 可以持续带给客户有成本竞争力、效能表现佳的产品。
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由于FinFET技术即将在7nm之后的某个节点下变得不可用 ， 所以业界一直在探索新的技术 。
而 Gate-All-Around环绕式栅极技术也就是GAA应运而生 。其原理由于过于深奥我们就不过多赘述 。
而三星对外宣称的GAA技术英文名为 Multi-Bridge Channel FET ， 缩写为 MBCFET 。三星对此作出的解释是 ， 目前主流的纳米线 GAA 技术 ， 沟道宽度较小 ， 因此往往只能用于低功率设计 ， 并且制造难度比较高 ， 因此三星没有采用这种方案 。并且三星认为 FinFET在5nm和4nm工艺节点上都依旧有效 ， 因此在3nm时代三星才开始使用新的MBCFET技术 。


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