特辣科技|中科院实现芯片技术突破，华为麒麟又活了，ASML光刻机霸权失效
7月12日据媒体报道 ， 中国在芯片领域又迎来了重大的技术突破 。 近日 ， 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员张子旸与国家纳米中心研究员刘前合作 ， 在NanoLetters上联合发表了一种新型5nm超高精度激光光刻加工方法 。
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这种方法的优势就在于不需要使用EUV技术就可以制造出5nm芯片 ， 打破了技术禁锢 ， 因为此前全球唯一一家能生产EUV光刻机的公司荷兰ASML表态7nm以下工艺都需要EUV光刻机才行 。
虽然目前这项技术还在实验室进行大量的数据试验 ， 但这对于当前处于困境的中国半导体行业无疑是一支强心针 。 美帝对华为芯片的接连制裁和打压 ， 让国内许多科技从业者现实中饱尝如鲠在喉的痛苦 。
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芯片的性能水平在一定程度上由制程水平决定 ， 而制程水平与光刻工艺的水平直接相关 。 这也使得光刻技术成为IC制造中最复杂、最关键的工艺步骤 ， 而光刻的核心设备——光刻机更是被誉为半导体工业皇冠上的明珠 。
台积电之所以能够摘得全球各大科技巨头的代工订单 ， 能够制造出性能强大的芯片 ， 就是因为它拥有来自ASML公司的最先进的纳米EUV光刻机 。
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华为麒麟芯片也正是借助优秀的IC设计和台积电出色的量产工艺 ， 性能一代比一代提升大 ， 与高通骁龙和苹果A系列的差距逐渐拉近 。
直白地讲 ， 半导体芯片制造分为IC设计、IC制造、IC封测三大步骤 ， 华为主要进行IC设计 ， 台积电则包揽了后面的两个步骤 。 这其中IC制造的核心工具就是光刻机 ， 其工作主要是将掩模版上的芯片电路图转移到硅片上 。
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据了解 ， 光刻机最重要的指标就是光刻分辨率 ， 它与波长及数值孔径NA有关 ， 波长越短、NA越大 ， 光刻精度就越高 ， 制造出的芯片性能越强 ， 集成度更高 。
此次中科院在无机钛膜光刻胶上 ， 采用双激光束交叠技术 ， 通过精确控制激光能量密度及步长 ， 实现了1/55衍射极限的突破（NA=0.9） ， 达到了最小5nm的特征线宽 。
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这一技术突破预计未来将在中芯国际、上海微电子等国内半导体领军企业内进行批量实践 ， 最终目的就是要打破特朗普以及美国政府对国内半导体发展的层层打压 。
此前据媒体报道 ， 上海微电子公司已经成功开发出22nm光刻机 ， 并能够利用技术改良措施生产10nm的芯片 ， 配合中芯国际对晶圆代工、封测技术的积淀 ， 足以可见中国半导体技术的飞跃式发展 。
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2019年由于麒麟芯片的快速进步和5G技术的领先 ， 让特朗普越来越忌惮华为这家中国公司 。 为了“扼杀”技术超越者 ， 美国不惜动用一切力量 ， 破坏稳定持续的合作 ， 阻挠世界最新科技的进步 ， 威逼利诱台积电断供华为 ， 严重影响到麒麟芯片的未来 。
这些制裁就像食鱼之刺般扎在中国半导体行业和众多科技研究者心中 ， 在众多“鱼刺”中 ， 芯片无疑是扎得最深的那一根 ， 而光刻机正是阻隔这根鱼刺被拔出的主要障碍之一 。
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现如今 ， 中科院理论研究的突破、中芯国际代工技术的提高以及上海微电子光刻机制造的发展让国内高端芯片制造看到了希望 ， 也让华为麒麟芯片有了不再迷茫的未来 ， 相信这些都是特朗普未曾预料到的变数 。
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