快科技|科学家研发2D金属芯片:让储存速度提高100倍

_本文原题为:科学家研制2D金属芯片:让储存速度提高100倍)
【快科技|科学家研发2D金属芯片:让储存速度提高100倍】科学家正在努力 , 希望开发出下一代数据存储材料 , 以提高现有存储速度 。
据英国《自然·物理学》杂志近日发表的一项研究 , 一个美国联合研究团队利用层状二碲化钨制成了二维(2D)金属芯片 , 其厚度仅三个原子 , 其可代替硅芯片存储数据 , 且比硅芯片更密集、更小、更快 , 也更节能 , 同时储存速度提高了100倍之多 。
研究人员对二碲化钨薄层结构施加微小电流 , 使其奇数层相对于偶数层发生稳定的偏移 , 并利用奇偶层的排列来存储二进制数据 。 数据写入后 , 他们再通过一种称为贝利曲率的量子特性 , 在不干扰排列的情况下读取数据 。
与现有的基于硅的数据存储系统相比 , 新系统具有巨大优势——它可以将更多的数据填充到极小的物理空间中 , 并且非常节能 。 此外 , 其偏移发生得如此之快 , 以至于数据写入速度可以比现有技术快100倍 。
对超薄层进行非常小的调整 , 就会对它的功能特性产生很大的影响 , 而人们可以利用这一知识来设计新型节能设备 , 以实现可持续发展和更智慧的未来存储方式 。
快科技|科学家研发2D金属芯片:让储存速度提高100倍
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