国策|光刻机并不是首位，急需另一种关键技术，我国要造出高端芯片
【国策|光刻机并不是首位，急需另一种关键技术，我国要造出高端芯片】华为为代表的科技型企业 ， 之所以在华盛顿方面予以限制时处于被动 ， 很大一部分原因是芯片领域的落后 ， 我们依赖于美国芯片受制于人 ， 所以在关键时期美方便可以此大做文章 。 当然 ， 中方企业也不是没有反抗余地的 ， 国内已经有机构或企业能够制造芯片 ， 但问题是我们距离真正的高端芯片其实还有一段距离 ， 最重要的是缺乏两样东西 。
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芯片制造简单而言 ， 由芯片集成电路的设计、制作硅晶圆、对硅晶圆涂光胶、对硅晶圆光刻和蚀刻、对硅晶圆等离子注入以及硅晶圆测试和封装这几个部分组成 。 此前华为海思宣布具备生产芯片的能力 ， 实则是一定的 ， 因为严格意义而言它只负责集成电路的设计 ， 这虽然关键 ， 但后续的生产制造还是得交给台积电以及中芯国际这类专业代工厂 。 但代工厂有一定精细的加工能力却没有相关设备的研发能力 ， 所以它们使用的设备大多来自欧美和日韩等半导体领域有优势的国家 。 这其中的设备就包括光刻机 。
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有人会说前不久最新的国产光刻机不是已经问世了吗？报道显示上海微电子将在今年年底下线首台采用ArF光源的光刻机 ， 通过多次曝光和浸没式工艺 ， 能够实现生产11nm芯片 。 但业内人士指出 ， 这台所谓的国产光刻机实则是上海微电按照荷兰ASML光刻机的样式 ， 采购了同样的配件组装而成 。 换而言之 ， 这只能算是一个组装品 ， 核心零部件仍然是进口的 ， 如果西方想要卡我们脖子 ， 可能性依然很大 。
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除了光刻机还有一个制造工艺问题 ， 光刻机我们能买到零件自己组装 ， 自己也能造出稍微落后一点的光刻机 ， 但是工艺问题我们暂时无法解决 ， 但这却是关键制约因素 。 中芯国际只能量产14nm以上的芯片 ， 而台积电可以用DUV光刻机制造出了10nm、7nm的芯片 ， 此类设备中芯国际同样有 ， 且传言更加先进 ， 但中芯国际的制程工艺落后 ， 同样的设备却做不出10nm、7nm的芯片 。 简单来说 ， 就是中芯国际同样有先进的光刻机设备 ， 甚至比台积电的光刻机还先进 ， 但是因为工艺落后 ， 所以造不出来更高端的芯片 ， 这就好比两个修炼武功的人 ， 都拿着一等一的神兵利器 ， 但是中芯国际的修炼的武功差了一大截 ， 所以打不赢对手 。
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有人将问题归咎到没有一款更先进的设备 ， 即EUV光刻机 ， 但如果制造工艺问题不解决 ， 中芯国际依然比台积电以及其他国际领先代工厂落后2到3代的水平 。 据悉 ， EUV光刻机和DUV光刻机的最大区别 ， 在于前者使用极紫外光 ， 波长仅10~15nm ， 而后者则采用深紫外光 ， 波长193nm ， 即便是加上浸没式工艺 ， 也只能缩短到28nm波长 ， 且EUV的构件更加先进 。 DUV制造7nm芯片时 ， 几乎是最大极限 ， 而EUV制造7nm是起步 。 总的来说 ， 我们仍然面对着加工工具有限、加工技术相对落后的困境 ， 这是一条漫长的路 ， 仍需继续努力 。 相关行业千万不能大跃进 ， 国人也不要盲目自信 ， 稳健突破追赶才是最重要的 。
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