IT之家 长江存储国家存储器基地项目二期开工,雄关漫道真如铁
IT之家6月22日消息根据长江存储官方的消息 , 由长江存储实施的国家存储器基地项目二期(土建)于6月20日在武汉东湖高新区开工 。
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据介绍 , 长江存储国家存储器基地项目由紫光集团、国家集成电路基金、湖北省科投集团和湖北省集成电路基金共同投资建设 , 计划分两期建设3DNAND闪存芯片工厂 。 项目一期于2016年底开工建设 , 进展顺利 , 32层、64层存储芯片产品已实现稳定量产 , 并成功研制出全球首款128层QLC三维闪存芯片 。
在开工仪式上 , 紫光集团、长江存储董事长赵伟国介绍了项目有关情况 。 他表示 , 国家存储器基地项目一期开工建设以来 , 从一片荒芜之地变成了一座世界领先的存储器芯片工厂 , 实现了技术水平从跟跑到并跑的跨越 。
【IT之家 长江存储国家存储器基地项目二期开工,雄关漫道真如铁】IT之家曾报道 , 4月份 , 长江存储科技有限责任公司宣布其128层QLC3DNAND闪存(型号:X2-6070)研发成功 , 并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证 。 作为业内首款128层QLC规格的3DNAND闪存 , 长江存储X2-6070拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度 , 最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量 , 拥有1.6Gb/s高速读写性能和1.33Tb高容量 。
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