云汉芯城ICkey|晶体三极管的结构和作用以及工作原理


晶体三极管作为一个常用器件 , 是构成现代电子世界的重要基石 。 本文主要是关于晶体三极管的介绍 , 描述并分析了它的结构和作用 , 并详细阐述了晶体三极管的工作原理 。
晶体三极管
三极管 , 全称应为半导体三极管 , 也称双极型晶体管、晶体三极管 , 是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号 ,也用作无触点开关 。 晶体三极管 , 是半导体基本元器件之一 , 具有电流放大作用 , 是电子电路的核心元件 。 三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结 , 两个PN结把整块半导体分成三部分 , 中间部分是基区 , 两侧部分是发射区和集电区 , 排列方式有PNP和NPN两种 。
晶体三极管的结构和作用分析
【云汉芯城ICkey|晶体三极管的结构和作用以及工作原理】
云汉芯城ICkey|晶体三极管的结构和作用以及工作原理
本文插图

结构类型
晶体三极管 , 是半导体基本元器件之一 , 具有电流放大作用 , 是电子电路的核心元件 。 三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结 , 两个PN结把正块半导体分成三部分 , 中间部分是基区 , 两侧部分是发射区和集电区 , 排列方式有PNP和NPN两种 ,
从三个区引出相应的电极 , 分别为基极b发射极e和集电极c 。
发射区和基区之间的PN结叫发射结 , 集电区和基区之间的PN结叫集电结 。 基区很薄 , 而发射区较厚 , 杂质浓度大 , PNP型三极管发射区“发射”的是空穴 , 其移动方向与电流方向一致 , 故发射极箭头向里;NPN型三极管发射区“发射”的是自由电子 , 其移动方向与电流方向相反 , 故发射极箭头向外 。 发射极箭头向外 。 发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向 。 硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型 。
三极管的封装形式和管脚识别
常用三极管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类 , 引脚的排列方式具有一定的规律 ,
底视图位置放置 , 使三个引脚构成等腰三角形的顶点上 , 从左向右依次为e b c;对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己 , 三个引脚朝下放置 , 则从左到右依次为e b c 。
国内各种类型的晶体三极管有许多种 , 管脚的排列不尽相同 , 在使用中不确定管脚排列的三极管 , 必须进行测量确定各管脚正确的位置 , 或查找晶体管使用手册 , 明确三极管的特性及相应的技术参数和资料 。
作用
晶体三极管具有电流放大作用 , 其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量 。 这是三极管最基本的和最重要的特性 。 我们将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三极管的电流放大倍数 , 用符号“β”表示 。 电流放大倍数对于某一只三极管来说是一个定值 , 但随着三极管工作时基极电流的变化也会有一定的改变 。
详解晶体三极管工作原理
三极管原理 , 传统讲解方法中存在的问题概括起来主要有以下三点:
1 严重割裂晶体二极管与三极管在原理上的自然联系 。 没有真正说明三极管集电结为何会发生反偏导通并产生Ic?这看起来与二极管原理强调的PN结单向导电性相矛盾 。
2 不能说明放大状态下集电极电流Ic为什么只受控于电流Ib而与电压无关;即:Ic与Ib之间为什么存在着一个固定的放大倍数β关系 。
3 不能说明饱和状态下 , Vc电位很弱的情况下 , 为什么集电结仍然会反向导通并且有反向大电流Ic通过 。
很多教科书对于这部分内容 , 在讲解方法上都存在有很大问题 。 有一些针对初、中级学者的普及性教科书 , 干脆采用了回避的方法 , 只给出结论却不讲原因 。 既使专业性很强的教科书 , 采用的讲解方法大多也存在有很值得商榷的问题 。 这些问题集中表现在讲解方法的切入角度不恰当 , 致使逻辑混乱 , 讲解内容前后矛盾 , 甚至造成讲了还不如不讲的效果 , 使很多初学者常常产生一头雾水的感觉 。


推荐阅读