科技之窗|仅用了18个月！国产闪存50纳米再获突破，已闯入国际先进水平
说起半导体行业 ， 不得不说存储行业 。 目前智能手机离不开内存和闪存 ， 而这两者目前基本被三星等国际大厂垄断 。 尤其是当前华为手机业务再遭到发展困境 ， 这其中发展国产半导体行业就显得格外重要 。
【科技之窗|仅用了18个月！国产闪存50纳米再获突破，已闯入国际先进水平】
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好的一点是现在国产内存与闪存纷纷取得了进步 。 其中"合肥长鑫+兆易创新"挑战DRAM领域 ， "长江存储+紫光集团"挑战NAND领域 。 此前合肥长鑫发布了量产的19nm工艺、8GB DDR4规格内存条引起了一番好评 。 而在闪存方面 ， 长江存储宣布128层研发成功、通过客户验证 。
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但是你可能不知道其实在闪存领域国产还有新的突破 。 在国产NAND闪存取得突破的同时 ， 国内的NOR闪存也在不断前进 。 NOR闪存不同于NAND闪存 ， 性能及容量全都落后于后者 ， 但是可靠性高 ， 目前主要用于各种嵌入式领域 ， 比如车载电子、物联网等等 ， 而武汉新芯是国内主要的NOR闪存供应商之一 。
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日前武汉新芯科技XMC公司研发的50nm工艺、浮栅极NOR闪存正式量产出货 ， 容量16Mb到256Mb ， 工作温度范围可达-40℃到105℃ 。
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别小看50nm工艺 ， 其实当前全球NOR闪存主流工艺还停留在90-65nm工艺 。 这也意味着在NOR领域 ， 武汉新芯科技XMC公司成为中国乃至世界领先的NOR Flash供应商之一 。 不得不说新芯科技这次量产的50nm工艺NOR已经很先进了 ， 未来可应用于物联网、可穿戴设备和其它功耗敏感应用提供灵活的设计方案 。
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从65纳米到50纳米 ， 武汉新芯闪存技术跃升用了18个月 。 武汉新芯新一代50纳米技术 ， 无论是存储单元面积还是存储密度 ， 均达到国际先进水平 。 而根据资料来看武汉新芯50纳米闪存技术于2019年12月取得突破 ， 随后投入量产准备 。 从65纳米到50纳米的跃升 ， 武汉新芯用了18个月 。 随着50纳米NOR闪存的重大突破 ， 武汉新芯将在性能和成本上进一步提高竞争力 。
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至少从现在来看 ， 国产内存、闪存已经取得了不错的成绩 ， 让中国存储看到了希望 。 中国手机品牌也将逐步摆脱国外内存的控制 。
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