芯片里面100多亿晶体管是如何实现的？( 二 )
在涂满光刻胶的晶圆（或者叫硅片）上盖上事先做好的光刻板 ， 然后用紫外线隔着光刻板对晶圆进行一定时间的照射 。 原理就是利用紫外线使部分光刻胶变质 ， 易于腐蚀 。
溶解光刻胶：光刻过程中曝光在紫外线下的光刻胶被溶解掉 ， 清除后留下的图案和掩模上的一致 。
“刻蚀”是光刻后 ， 用腐蚀液将变质的那部分光刻胶腐蚀掉（正胶） ， 晶圆表面就显出半导体器件及其连接的图形 。 然后用另一种腐蚀液对晶圆腐蚀 ， 形成半导体器件及其电路 。
清除光刻胶：蚀刻完成后 ， 光刻胶的使命宣告完成 ， 全部清除后就可以看到设计好的电路图案 。
而100多亿个晶体管就是通过这样的方式雕刻出来的 ， 晶体管可用于各种各样的数字和模拟功能 ， 包括放大 ， 开关 ， 稳压 ， 信号调制和振荡器 。晶体管越多就可以增加处理器的运算效率；再者 ， 减少体积也可以降低耗电量；最后 ， 芯片体积缩小后 ， 更容易塞入行动装置中 ， 满足未来轻薄化的需求 。
芯片晶体管横截面到了3nm之后 ， 目前的晶体管已经不再适用 ， 目前 ， 半导体行业正在研发nanosheet FET（GAA FET）和nanowire FET（MBCFET） ， 它们被认为是当今finFET的前进之路 。三星押注的是GAA环绕栅极晶体管技术 ， 台积电目前还没有公布其具体工艺细节 。 三星在2019年抢先公布了GAA环绕栅极晶体管 ， 根据三星官方的说法 ， 基于全新的GAA晶体管结构 ， 三星通过使用纳米片设备制造出MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET ， 多桥-通道场效应管) ， 该技术可以显著增强晶体管性能 ， 取代FinFET晶体管技术 。
此外 ， MBCFET技术还能兼容现有的FinFET制造工艺的技术及设备 ， 从而加速工艺开发及生产 。
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