半导体投资联盟三星多叠置沟道GAA器件架构，3nm工艺的搏斗( 二 )
三星公司在传统GAA晶体管基础上 ， 改良的具备多个叠置沟道晶体管 ， 利用交替叠置多个沟道层和多个中间沟道层形成有源图形 ， 进而蚀刻形成源/漏区 ， 并可防止中间沟道层的水平延伸 ， 从而大大提高晶体管集成度 。
三星公司具有强大的技术实力储备 ， 这也保证了三星在半导体市场中始终屹立不倒 ， 随着摩尔定律演进到3nm工艺 ， 三星选择挑战GAA器件架构与台积电的FinFET器件展开搏斗 。 那么在3nm架构中 ， 究竟是台积电的FinFET还是三星的GAA更胜一筹呢？让我们拭目以待 。
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