『驱动之家』比QLC闪存还渣 FLC闪存即将浮出水面:用户还能接受吗?
NAND闪存从SLC到MLC再到TLC , 可以说一步步降低了成本 , 提升了容量 , 这是它们得以普及的关键 。 现在QLC闪存在这一年中发展迅猛 , 大有抢TLC风头的意味 , 而更渣的PLC闪存也在路上了 。
所谓SLC、MLC、TLC、QLC及PLC , 指的是闪存的类型 , 它们每个cell单元分别存放1、2、3、4、5位电荷 , 所以容量越来越大 , 但是代价就是写入速度越来越低 , P/E寿命越来越渣 , QLC的P/E次数宣传上有1000次 , 实际大概是几百次 , FLC时代弄不好要跌到100次内了 。
从消费者角度来说 , QLC闪存都很难接受 , 更别提再渣一等的PLC闪存 , 这寿命和速度看着不让人放心 。
但是闪存厂商对PLC闪存的研究早就开始了 , 随着QLC闪存发展的第三、第四代 , 目前性能、容量、可靠性算是维持住底线了 , 研发中的FLC闪存进入市场只是迟早的事 。
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从Intel之前的表态来看 , 他们早就规划好FLC闪存了 , 好消息是其3DPLC闪存将仍旧坚守使用浮栅型结构(FloatingGate) , 尽管当前3D闪存的主流结构是ChargeTrap电荷捕获型 , 但Intel指出 , 浮栅型在读取干扰、数据保持期上更优秀 。
三星、东芝、美光、SK海力士、西数等公司的FLC闪存也是箭在弦上 , 只是时间早晚的事 。
FLC闪存一定会被推到市场上 , 但是最终能不能被接受还不好说 , SINA存储网络协会董事会成员JMetz认为FLC闪存在技术上是不可避免的 , 但他对其市场前景表示怀疑 , 特别是TLC闪存等成本不断下降的情况下 。
根据JMetz的看法 , 阻碍FLC闪存的倒不是FLC本身缺点 , 而是厂商如果能在TLC或者QLC闪存上就做到需要的大容量、成本等指标 , 那就没必要去推FLC闪存 , 毕竟后者在技术、可靠性等方面确实需要更多投入 。
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