电子工程世界TB:告别贴膜!设计更智能的汽车天窗( 二 )
这种产生200V电压的方法的一个优点是上图中的开关金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)Q2只需对底部输出电容C16上的电压进行额定 。 这使您可在设计中使用成本更低、额定电压更低的组件 , 而非大于200V的元件 。
随着MOSFET的功率和电压额定值增加 , 栅极和漏极电容也会增加 。 当试图以2MHz的频率控制MOSFET时 , 这些电容会导致压摆率和上升时间问题 , 因此较低的电压要求可更容易找到具有适当输入和输出电容的MOSFET 。
【电子工程世界TB:告别贴膜!设计更智能的汽车天窗】电荷泵还减少了开关节点上的应力 。 为从约10V升至约200V , 开关节点需要极高的占空比 , 从而留下极小的关断时间 , 并给升压转换器带来很大应力 。 由于电荷泵将转换器的电压降低三分之一(以三倍于输出电流为代价) , 因此占空比和关断时间要求显著降低 。
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