「快科技」台积电5nm打造1700平方毫米巨型中介层：集成96GB HBM2E内存
晶体管越来越小 ， 但是高性能计算需求越来越高 ， 有些人就反其道而行之 ， 尝试制造超大芯片 。
之前我们就见识过Cerebras Systems打造的世界最大芯片WSE ， 拥有46225平方毫米面积、1.2万亿个晶体管、40万个AI核心、18GB SRAM缓存……并得到了美国能源部的青睐和部署 。
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现在 ， 台积电、博通联合宣布 ， 双方将利用晶圆上芯片封装(CoWos)技术 ， 打造面积达1700平方毫米的中介层(Interposer) ， 是芯片蚀刻所用光掩模(光罩)尺寸极限858平方毫米的整整两倍 。
【「快科技」台积电5nm打造1700平方毫米巨型中介层：集成96GB HBM2E内存】这样规模的中介层显然是无法一次性单个制造出来的 ， 台积电实际上是同时在晶圆上蚀刻多个中介层 ， 然后将它们连接在一起 ， 组成一个整体 。
工艺上 ， 台积电也用上了最先进的5nm EUV(N5) ， 它将在今年上半年投入量产 。
所谓中介层 ， 用途就是串联不同裸片(Die)的桥梁 ， 因为随着现代芯片日益复杂 ， 制造单个大型SoC的代价越来越大 ， 所以行业普遍开发出了各种新的封装技术 ， 将不同的小芯片、模块整合在一起 ， 构成一颗大芯片 。
博通就计划用这个庞大无比的中介层 ， 封装多个SoC芯片 ， 以及六颗HMB2内存 ， 单颗容量16GB ， 总容量达96GB/s ， 带宽也高达2.7TB/s 。
看这规格 ， 应该是三星最新的HBM2E 。
台积电和高通未透露这种庞大芯片的具体规格 ， 只是说将用于高性能计算领域 。
另外 ， 台积电还在改进CoWoS封装技术 ， 所以未来不排除面积超过1700平方毫米的更大芯片 。
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