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三星|三星将推出第八代V-NAND闪存：层数超过200、512GB仅厚0.8mm

作为全球NAND闪存市场的一哥 ， 三星在3D闪存上又要领先其他厂商了 ， 日前在三星技术论坛上 ， 三星公布了第八代V-NAND的细节 ， 堆栈层数超过200层 ， 容量可达1Tbit ， 512GB容量的厚度也只有0.8mm ， 可用于手机 。
三星的V-NAND闪存现在演员发展到了第七代V-NAND V7 ， 堆栈层数176层 ， TLC版核心容量512Gbit ， 而即将推出的V-NAND V8层数将超过200——三星没提到具体多少层 ， 但之前的报道中指出是228层 ， 提升30%左右 ， 存储密度提升了40%左右 。
【三星|三星将推出第八代V-NAND闪存：层数超过200、512GB仅厚0.8mm】V-NAND V8闪存的单颗核心容量也从之前的512Gbit翻倍到了1Tbit ， 同时性能也更强 ， IO接口速率从2Gbps提升到了2.4Gbps ， 性能更适配最新的PCIe 5.0标准 。
得益于存储容量更大. V-NAND V8闪存的厚度依然可以控制在合理水平 ， 封装512GB容量也不超过0.8mm ， 可以用于新一代智能手机 。
在未来 ， 三星的V-NAND闪存堆栈层数还会进一步提升 ， 路线图中的目标是超过500层 ， 这被视为3D闪存的极限 ， 不过三星还在想法突破 ， 最终能制造1000层堆栈的3D闪存 。
三星|三星将推出第八代V-NAND闪存：层数超过200、512GB仅厚0.8mm
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