固态硬盘|主控、闪存换芯！新款三星970EVO Plus性能实测：大为惊喜
三星970EVO Plus，作为三星存储在PCIe3.0时代的旗舰机型，当年它的诞生，直接将固态硬盘的绝对性能提升至3500MB/s的新高度，也引发了新一轮关于固态硬盘性能潜力的深挖和探索 。
随着PCIe4.0的全面普及，一代新人换旧人，970EVO Plus毫无疑问的被下放至主流市场，这本是正常的产品迭代，原以为三星970EVO Plus这个“旧瓶”不再可能在当下掀起波澜，可世事难料 。
近日据公开消息，一代旗舰三星970EVO Plus，在毫无预警、价格不变的情况下，直接列装了全新制程工艺的主控芯片、闪存颗粒等核心控件，在这个“酒香也怕巷子深”的全媒体时代，三星970EVO Plus，这一波“旧瓶换新酒”的操作，究竟意欲何为？三星970EVO Plus的“新酒”性能又有多少提升？
今天，不玩虚的，直接进行新旧三星970EVO Plus的性能对比，看看这波操作是良心还是黑心？
01 新旧三星970EVO Plus外观对比
在性能评测之前，先来看看新版三星970EVO Plus都有哪些变化 。
外观方面，从正面的标识来看，大体延续了三星970EVO Plus的设计风格，保持了该系列设计的一致性，只是在产品PN码、SN码以及生产日期方面有着一些细微差异，如果不是深入研究，一般消费者很难从正面辨别新旧之间的差异；
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三星970 EVO Plus NVMe M.2（1TB）电商报价￥1049￥1199正面（上旧下新）
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背面（上旧下新）
较为明显的差异存在于背面，新版三星970EVO Plus在其背面增加了三星存储的logo标识，而旧版是不存在，同时基于新版背面的新布局设计，其背面贴纸的各种认证和准入规格排序也存在一些差异，因而用户在购买之时，可以根据三星970EVO Plus背面的设计布局，轻松辨别新旧版本 。
02 新旧三星970EVO Plus内核对比
内核部分则是此次更新的重点，此次三星970EVO Plus的“旧瓶装新酒”，是一次全面的核心器件升级 。
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新旧三星970EVO Plus内部对比
主控芯片方面，旧版三星970EVO Plus采用当年行业领先的14nm制程工艺，Phoenix主控芯片，该芯片最高支持32队列，8通道设计下，更是在当年创下3500MB/s的最大连续读取性能，
而新版三星970EVO Plus则是采用了应用于PCIe4.0新旗舰三星980PRO里的那颗“芯”——三星Elpis主控芯片，关于此款芯片，笔者在此前的三星980PRO中进行了深度解读，在此转述旧文 。
Elpis源于希腊语，中文读音“厄尔庇斯”，中文直译则是“（希望）女神”，该主控采用三星自研的全新8nm制程工艺，全面支持PCIE4.0协议，同时能够满足下一代开发、计算等需求，新的Elpis主控支持128队列并行工作，支持128个I/O队列同步进行数据处理；
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主控芯片存在差异（上为Phoenix 下为Elpis）
相较于上一代的Phoenix主控，队列数（32队列）提升了约400%，根据三星制程数据，单个队列下，包含了超过64000命令集，这也就意味着三星Elpis主控内部的128个队列，可以同步处理最高超过800万个命令 。
闪存颗粒方面，旧版三星970EVO Plus同样是采用当年风靡行业的三星自研第五代V-NAND闪存颗粒，9x堆叠的TLC颗粒，在当年可谓是一骑绝尘，单颗存储容量达到512GB，在当时大部分厂商还停留64层堆叠，满足1TB存储容量需要4颗颗粒的时代，三星970EVO Plus仅分布了两颗闪存，即完成1TB存储容量的堆叠 。
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新旧三星970EVO Plus闪存对比
新版三星970EVO Plus的闪存颗粒，不仅在堆叠层数上实现了跨越，更是在闪存性能，延时表现等方面进行了突破 。其内置了三星自研第六代V-NAND闪存颗粒，该闪存颗粒在制程工艺上，充分利用三星独创的“通道孔蚀刻”技术，通过建立一个由100多个层组成的导电晶片堆栈，然后从上到下垂直穿孔，形成均匀的三维电荷阱闪存（CTF）单元，从而实现了，在9x层单堆栈结构基础上增加了大约40%的存储单元 。
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