半导体|四类设备已国际领先！详解中微半导体成功的秘诀( 二 )
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根据中微半导体公布的数据显示，2018到2020年，等离子刻蚀设备、化学薄膜沉积设备和检测设备在集成电路前段设备当中的总体产比已经超过45%，并且将超过50% 。其中，等离子刻蚀机占比20-25%，在该领域中微半导体的产品已经实现了全面覆盖；化学薄膜沉积设备占比15-17%，在该领域中微半导体和拓荆科技也已实现全面覆盖；检测设备市场占比11-13%，在该领域中微半导体和睿励科学仪器实现了部分覆盖 。
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下图是中微半导体最近开发的CCP电容性高能等离子刻蚀机Primo HD-RIE，有6米长，5米宽，大概3米高，有16吨重 。
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尹志尧表示，中微的刻蚀机在中国本土市场3D NAND晶圆厂的市场占有率已经做到了35% 。在国内两个最先进逻辑器晶圆厂，我们的市场占有率已经接近40% 。
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在台湾两家晶圆厂当中，一个是逻辑线路器件晶圆厂，在14nm产线上，中微的刻蚀机占比已经达到了24%，排名第二位 。在另一家NAND晶圆厂，中微刻蚀机的占比也已经达到了37%，也进入了第二位 。
“我们不断改进了反应器设计和设备性能，从2014年到2021年，我们的刻蚀设备最难做的是高身宽比细孔，从20:1做到40:1，现在可以突破做到60:1的身宽比，要做成更高可靠设备还是需要努力 。”尹志尧说到 。
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中微的另一类型刻蚀设备就是ICP电感性低能等离子刻蚀机Primo nanova，可以用于大批量生产存储芯片和逻辑芯片的前道工序 。该设备采用了中微具有自主知识产权的电感耦合等离子体刻蚀技术和许多创新的功能，以帮助客户达到芯片制造工艺的关键指标，例如关键尺寸（CD）刻蚀的精准度、均匀性和重复性等 。可以为7nm、5nm及更先进的半导体器件刻蚀应用提供比其他同类设备更好的工艺加工能力，和更低的生产成本 。
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此外，中微半导体近年来也开发出了深硅刻蚀机及MOCVD设备，并且很快进入了市场 。特别是在MOCVD有机金属化合物气相沉积设备方面，中微半导体已经发展到了第三代 。
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据尹志尧介绍，在2018年四季度，中微半导体的MOCVD设备在国际氮化镓基MOCVD市场占有率已经达到了70%以上 。
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尹志尧表示，由于LED、MiniLED、MicroLED市场的需求快速增长，MOCVD设备开始被广泛应用于LED、MiniLED、MicroLED的制造，因为主要需要解决发光元件即可，不需要像制造逻辑或存储芯片那样复杂，因此也吸引了众多的企业入局 。
根据统计数据显示，近十年以来，国内已有54家公司和研究所曾宣布开发MOCVD设备，但是只有中微半导体成功量产 。
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【半导体|四类设备已国际领先！详解中微半导体成功的秘诀】△中微半导体开发的MOCD有机金属化合物气象沉积设备100台在客户生产线上被用于产品量产 。
据尹志尧介绍，2017年到2021年，中微半导体的MOCVD设备也在不断进行了改进和提高，蓝绿光LED波长均匀性，已经成功从波长1.57nm做到了0.7nm左右 。
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凭借出色的产品竞争力，中微的半导体设备获得了众多国内外客户的广泛认可 。在2018年-2019年美国VLSI Reaseach全球半导体设备公司产品客户满意度评比中，中微半导体的是评比中，中微连续两年获得全球第三名 。在2021年的客户满意度评比中，中微也有三项排名位居前列 。
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