芯片|华虹半导体宣布量产90nm BCD工艺：性能高、核心面积小
【芯片|华虹半导体宣布量产90nm BCD工艺：性能高、核心面积小】国产半导体厂商正在一步步追赶国际先进水平 ， 日前华虹半导体宣布 ， 该公司推出的90nm BCD工艺已经在华虹无锡12英寸生产线已实现规模量产 。
华虹指出 ， 90nm BCD工艺具备性能高、核心面积较小等优势 ， 拥有更佳的电性参数 ， 并且得益于12英寸制程的稳定性 ， 良率优异 ， 为数字电源、数字音频功放等芯片应用提供了更具竞争力的制造方案 。
90nm BCD工艺还是先进工艺？对不了解半导体工艺的人来说可能真有这个疑问 ， 这个新工艺的重点是BCD——BIPOLAR-CMOS-DMOS ， 是ST意法半导体在80年代发明的功率芯片技术 。
BCD是一种复杂的硅芯片制造工艺 ， 每种BCD工艺都具备在同一颗芯片上成功整合三种不同制造技术的优点 ， 包括用于高精度处理模拟信号的双极晶体管 ， 用于设计数字控制电路的CMOS（互补金属氧化物半导体）和用于开发电源和高压开关器件的DMOS（双扩散金属氧化物半导体） 。
ST意法目前依然是全球领先的BCD工艺制造商 ， 35年来生产了500万片晶圆 ， 售出400亿颗芯片 ， 仅2020年就售出近30亿颗芯片 ， 工艺发展了十代了 ， 此前主要是350nm、180nm、110nm等 ， 最新量产的十代工艺也是90nm BCD 。
从这一点上来看 ， 华虹的90nm BCD工艺确实是该领域的先进工艺 ， 技术优势明显 ， 而中芯国际等国内其他代工厂也在开发90nm BCD工艺 ， 华虹的进度也是领先的 。
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